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記事検索結果
718件中、11ページ目 201〜220件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.006秒)
そこで、外部から特殊な回路を経てノイズを入れることにより、特定の局所解への固定を防いだ。 ... 回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)のプロセスを用いて約2...
大日本印刷は19日、次世代半導体露光技術「ナノインプリント」に対応する回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体製造用テンプレート(型)の量産を年内に始める...
東芝は同技術を実用化し、NAND型フラッシュメモリーの回路線幅の微細化や、素子を垂直に積層する3D型NANDの低コスト化を進めたい考え。 ... ナノインプリントは、パターンを彫り込...
微細化技術では競争力のある回路線幅19ナノメートル(ナノは10億分の1)で勝負し、この2年半ほどリードしている」 ―今後の方向性は。
ルネサスは自社の車載情報機器向け大規模集積回路(LSI)に組み込む形で、2020年をめどに新技術を採用したSRAMを製品化する。... そこでルネサスは、半導体の性能を左右する回路線幅...
半導体の性能を左右する回路線幅で40ナノメートルと業界最短を実現。併せて独自構造のフラッシュメモリーを採用したことで自社の従来製品(回路線幅90ナノメートル)と比べ、周波数当たりの消費...
半導体の性能を左右する回路線幅の微細化やパッケージの小型化技術で先行してきたが、シェア争いで韓国サムスン電子の後じんを拝してきた。 ... 「2期工事分で回路線幅15ナノメートルの世...
開発した「RH850/C1X=写真」シリーズは、半導体の性能を左右する回路線幅が40ナノメートルと業界最短を実現し、消費電力を抑えながら情報処理性能を高めた。
【半導体の回路線幅とは】 半導体はシリコンウエハーでできた基板に対して、露光装置の投影レンズで縮小した回路パターンを焼き付けて作る。... 回路の線幅を小さくすればするほど、その分、...
SSDに組み込むNAND型フラッシュメモリーは回路の線幅を細くする微細化で大容量化してきたが、この微細化が限界に近づいている。 ... 記憶容量を増やせる点に加え、回路線幅を緩くでき...
回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)台以降の次世代半導体デバイスの歩留まり向上に大きく寄与しそうだ。 ... 半導体デバイスの微細化は回路線幅10ナノメート...
先端半導体製造に使う材料ではスマートフォンなどに使われる回路線幅20ナノ(ナノは10億分の1)―16ナノメートルの先端世代でシェアを伸ばし、売上高を16年10月―17年3月期に13年1...
東芝は23日、世界最小水準の回路線幅15ナノメートル(ナノは10億分の1)を実現したNAND型フラッシュメモリー(写真)の量産を4月末から四日市工場(三重県四日...
ただ、現行の回路線幅55ナノメートルの製造ラインを主体に成長戦略を描く富士通と、同20ナノメートルへの移行を求めるTSMCとの間で調整が難航していた。
