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記事検索結果
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名大が7月に開設した窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」などの有効利用などで産業振興につなげる。... 両大学はG...
豊田合成が、電力変換や入出力制御に使う窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を急いでいる。... ■名大も実験施設 GaNを用いたデバイスの研究には名古屋大学も積極...
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)と高エネルギー加速器研究機構は、窒化ガリウム(GaN)の結晶欠陥を非破壊で検出する技術を開発した。... 欠陥情報のフ...
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)は、窒化ガリウム(GaN)ナノワイヤ(ナノは10億分の1)内部の不純物(ドーパント)分...
GaNでこれらが作れれば、これまでのシリコンや化合物半導体に比べ大幅な省エネルギーが実現できるという。同施設では基礎研究だけでなく、それを発展させたGaNデバイス実用化も視野に入れている。 &...
【名古屋】名古屋大学未来材料・システム研究所は24日、窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」を完成、開所式を行った。...
そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...
電動モビリティーの利用方法の実験と、窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体デバイスの性能評価の実験を兼ねる。 ... GaNデバイスはモーター制御のトランジスタで性能...
赤色はガリウムヒ素(GaAs)系、緑色や青色は窒化ガリウム(GaN)系の基板材料を使用し、技術が大きく異なる。 ...
GaNは大電流に強く、電力消費量を抑えたり部品を小型化したりできる。... ロームが開発を進めている、150ボルトの低圧向けGaN製半導体について共同開発する。 ... 現在のGaN...
窒化ガリウム(GaN)の致命的な欠陥を特定し防止策を開発した。GaNのパワー半導体への応用を開く成果だ。 ノーベル賞を受賞したGaNの結晶成長技術は2000回の失敗の...
1チップの電流が50アンぺア以上と世界最高クラスの大電流化を実現する窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体は20年代前半の量産を目指す。
従来はGaN結晶を溶かして欠陥を特定していた。簡便な検査手法が確立し、高品質GaNの研究が加速する。... GaNの刃状転位と混合転位という欠陥を非破壊で検出できる。
駆動用モーターや発電機、DC/DCコンバーター、制御機器、バッテリーの安全・最適化、充送電、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)モジュールなどがそ...
GaNを大口径に結晶成長させる手法なども開発。... GaNはパワー半導体材料として期待され、サファイア基板上にGaN結晶を作る方法などが実用化された。天野教授らのGaN基板の上にGaN結晶を育てる手...
三菱電機が第5世代通信(5G)需要の取り込みに向け、基地局向けに窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの提案を強化する。... 20年度にはGaN高周波デバイス事...
片方は、敵対的生成ネットワーク(GAN)に関連した最新研究を基にAIがデザインしたものだ。 GANは、本物と同じような内容を作るネットワークと、本物か識別するネットワ...
電流を基板に対して垂直に流す「縦型」のGaNを採用し、大電流化と高周波を両立させた。... 主力製品の一つである発光ダイオード(LED)に使うGaNの技術を応用した。... パワー半導...
