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窒化ガリウム半導体、結晶欠陥を非破壊で発見 産総研が評価技術
(2018/5/23 05:00)
産業技術総合研究所窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの山田永主任研究員と宇治原徹副ラボ長（名古屋大学教授）らは、窒化ガリウム（ＧａＮ）半導...
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(2018/5/23 05:00)
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