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記事検索結果
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三菱マテリアルは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの高温半導体素子を接合するための焼結型接合材料で、銅を使った2種類の材料を追加で開発した。
【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...
【名古屋】名古屋大学は窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体デバイスを用いた電気自動車(EV)を、10月24日に東京ビッグサイト(東京都江東区)で開幕する...
ヘッドスプリングは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代半導体を使い、小型で耐熱性があり、変換効率のよい変換器の開発・製造技術を持つ。... 同社は多...
今後は蓄電池向けも期待できる」 ―次世代材料を使った窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の取り組み状況は。 ... ただ車の電装化や産業機器の省力化、...
IoT(モノのインターネット)化との相乗効果で、電子化の裾野が広がるからだ。... 同デバイスの半導体材料には、5G用の周波数帯の特性に適した窒化ガリウム(GaN)を採...
このためシリコンや窒化ガリウム、酸化物半導体材料では極限まで高純度化が行われたが、それでも予想外の電気特性が起きた。
■官民連携で世界リード 【新材料に期待】 近年、自動車の電動化をはじめ機器の電動化が進んでいる。... 【ブレークスルー】 これら次世代のSiCパ...
米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。
三菱電機は窒化ガリウム(GaN)製高周波デバイスで、第5世代通信(5G)市場を狙う。... 三菱電機はかつて自社の携帯電話向けに、ガリウムヒ素(GaAs)...
汎用性や拡張性を高め、従来機で難しかった半導体レーザーや、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの研究開発、少量生産用途などにも活用できる。
日本と海外メンバーのコミュニケーション活性化を狙い、来日頻度を増やして、研修も計画立てて進める」 《2021年7月期目標で、海外売上高比率50%(現状比9ポイント増&...
産業技術総合研究所の岸川諒子主任研究員と堀部雅弘研究グループ長と宇宙航空研究開発機構(JAXA)の川﨑繁男教授は、宇宙線ノイズに強い窒化ガリウム(GaN)を用いて高周波...
名古屋大学が次世代の半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)の研究体制を強化している。... 「世界初のGaNデバイスに特化したプロセスラインを築いた」(天野浩名大未来...
米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
熱化学的な安定性の面でダイヤモンドよりも優れる立方晶窒化ホウ素(cBN)とともに、切削、研削、研磨加工、切断などで活躍している。... 例えば半導体分野では基板材料として新たに炭化ケイ...
縦型で高出力・高周波用途開拓 豊田合成が、2020年代前半の量産化を目指して窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体を開発中だ。... 「既にSiCや横型のGaNデバイス...
名大が7月に開設した窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」などの有効利用などで産業振興につなげる。
豊田合成が、電力変換や入出力制御に使う窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を急いでいる。... 大電流化が可能となり、パワーデバイスの小型化につながる。... 橋本正一副社長は「電...
