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そこで窒化ガリウム(GaN)などの高機能半導体を採用し、長寿命化。GaN半導体は名大が世界に誇る研究分野の一つ。GaN半導体のユニークな応用例としても注目されている。 ...

▽テクノロジー部門優秀賞=遺伝カウンセリングのための家系図描画ツール(近畿大学・坂上博俊)▽ビジネス部門優秀賞=国境を超えた求人・求職プラットフォーム「HRDataba...

住友電工、フルカラーレーザー小型化 (2016/1/7 電機・電子部品・情報・通信1)

チップ基板にガリウムヒ素と窒化ガリウム(GaN)を使用。

▽中興化成工業(東京都港区)=次世代自動車向け高耐摩耗性PTFEチューブの開発(次世代自動車)▽AeroEdge(足利市)=航空機エンジ...

ニュース拡大鏡/三菱電、設備需要に的−光・高周波デバイス深耕 (2015/12/17 電機・電子部品・情報・通信1)

高速・大容量通信の需要は高周波のGaNデバイス事業でも同様に増えている。GaNトランジスタは高電圧で動作して高出力を出せる。... 携帯電話基地局で使う信号増幅器ユニットにGaNを採用すれば、従来のシ...

サムコ、パワー半導体向けALD装置を開発・販売−大型化も視野 (2015/12/3 電機・電子部品・情報・通信1)

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったパワー半導体のゲート酸化膜形成用に、原子層堆積(ALD)装置を開発し発売した。... SiCやGaN...

エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(GaN)の成長に適している。GaNデバイス素材として、高輝度発光ダイオード&#...

天野浩特別教授をセンター長として10月1日に設立した学内の研究組織「未来エレクトロニクス集積研究センター」が中心となり、窒化ガリウム(GaN)関連技術の研究で関係を強化する。 ...

パワーデバイスに使われる炭化ケイ素(SiC)素子と窒化ガリウム(GaN)素子の動作可能温度は、200度C以上。

島津製作所厚木工場(神奈川県厚木市)にあるデバイス部のチームは、LED研究で注目された窒化ガリウム(GaN)系半導体レーザーに着目して、微細加工に適した短波長レーザーの...

窒化ガリウム(GaN)を中心に先端的電子デバイスと関連技術の開発に取り組む。同時にGaN関連の産学官連携の協議会「GaN研究コンソーシアム」を発足。... オールジャパン“でGaNなど...

サファイアや窒化ガリウム(GaN)など大きな結晶をつくるのが難しい材料を使った基板を高精度に洗浄できる。... サファイアやGaNのほか、ダイヤモンド、炭化ケイ素(SiC...

開発したGaNダイオードは、立ち上がり電圧0・8ボルトの低電圧で作動する。... PN接合と同じようにN型GaN層の上にP型GaN層を形成し、エッチングでP型層をトレンチ(溝)状にして...

レーザー照射で発生するテラヘルツ波を可視化するレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)で、窒化ガリウム(GaN)結晶表面の欠陥濃度の変化を観測した。... Ga...

複数の素子を多重合成して細径ファイバーに集約し、窒化ガリウム(GaN)系青色レーザーによる微細加工用光源を製品化した。

窒化ガリウム(GaN)などを用いるパワーエレクトロニクス、照明、情報通信機器向けに材料開発からデバイス化、システム応用までを一体的に加速、省エネルギー社会の実現に貢献する。 &...

GaNをサファイア基板上に成膜するのがポイントで、従来のシリコン(Si)基板採用のGaNパワー半導体と比べ、定格電圧を2倍の1200ボルトに引き上げた。... GaNパワー半導体の特徴...

【宇都宮】3Dデータを活用する会・3D―GAN(東京都台東区、03・6240・1734)は8、9の両日、栃木県那須塩原市のいきいきふれあいセンターで「3Dプリンター親子工作体験教室&#...

そこで同社は、サファイアに凹凸加工した基板上へ緩衝層として施す窒化ガリウム(GaN)に換え、窒化アルミニウム(AlN)を積層。これによりGaNによる光の吸収をなくし、結...

LED基板は、サファイア基板をベースに窒化ガリウム(GaN)と発光層を重ねて作っている。サファイアは絶縁性が高いため、GaNの層に電極を取り付けて通電する必要があった。

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