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記事検索結果
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セントラル硝子は大気中での高い耐熱性を備えたパワーデバイス用封止材(写真)を試作開発した。... 炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワ...
炭化ケイ素(SiC)のパワーデバイスによって電位をナノ秒(ナノは10億分の1)単位という高速で切り替えることによって、多量の中性子を発生させることができるのが特徴。...
金山精機製作所(京都市山科区、金山隆社長、075・591・5031)は、パワーデバイス関連部品など精密加工部品の増産に備えるため、大津市に新工場を建設する。... 同社はパイプライン圧...
同貢献賞は、富士通研究所などの「ドライバーの安心・安全を支える全周囲立体モニタの実用化」、新日鉄住金の「鉄道車両の振動制御装置アクティブサスペンション」、GSユアサの「アイドリングストップ車用の高効率...
環境省は電気機器向けの高効率デバイスの技術開発、実証事業の事業者を公募する。照明や空調、サーバなどに組み込むデバイスを高効率化することでエネルギー消費量の削減につなげる。 ... 対...
三菱電機は6日、パワーデバイス製作所(福岡市西区)内に建設中だった設計技術棟(写真)を完成し、10日に稼働すると発表した。... パワー半導体の技術・製品開発力の強化を...
三菱電機はパワー半導体の2013年12月の受注が、過去最高水準になったことを明らかにした。... パワー半導体は電力供給の切り替えなどに使う「省エネ半導体」で、民生機器や自動車など幅広い分野で採用され...
環境省が開発するのは電力の変換や制御を行うパワーデバイスと、光を活用した素子である光デバイス。... パワーデバイスの開発では、交流と直流の変換や電圧を昇降する際に発生する電力ロスを少なくし効率を高め...
高耐圧や低オン抵抗、高速スイッチングなどが特徴の炭化ケイ素(SiC)や、窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワーデバイス応用機器などにも幅広く提案する。 ...
産業技術総合研究所、太平洋セメント、屋久島電工(東京都中央区、下泉学社長、03・3243・1112)は、従来の約2倍の速さでパワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)単結晶が...
インバーターでは発熱が少ない炭化ケイ素(SiC)製のパワーデバイスを採用し現行モデル比半分以下に小型化する。
HVや電気自動車(EV)などに搭載するインバーターは発熱が少ない炭化ケイ素(SiC)製パワーデバイスを採用。
日立製作所はグループのパワー半導体事業を再編、10月に発足した「日立パワーデバイス」に集約した。... 日立の社会インフラを伸ばすためのキーデバイスを供給する立場として、頑張れと言われている。... ...
次世代材料として注目されるSiC(炭化ケイ素)を使ったパワー半導体を搭載。... 現在、実用化に向け電気品とデバイスのすり合わせを進めている。SiCパワー半導体は子会社の日立パワーデバ...
鉄道電気品を製造する伊丹、パワー半導体を生産するパワーデバイス製作所、先端技術総合研究所から約50人が集められた。... 「1年もない中でデバイスもシステムも完成していない状態。... 内販と外販のバ...
【京都】サムコは炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体用のドライエッチング装置の量産機「RIE―600iPC=写真」を15日に発売する。... ここにきて省エネ意識の高ま...
パナソニックは1日、シンガポールでパワーデバイス用封止材事業の開発強化を目的とする「電子材料・南アジアR&Dセンター」を設置したと発表した。需要増が見込まれるパワーデバイス分野の多くの顧客が東...
【名古屋】名古屋工業大学は、次世代パワーデバイスの実用化、事業化を目指す研究開発拠点「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」を完成した。
先進パワーエレクトロニクス研究センターの福田憲司総括研究主幹、米澤喜幸超高耐圧デバイスチーム長らは、SiC半導体を使って独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ(IGBT)を開発し...