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ニコンは「ArF液浸」と呼ばれる先端半導体の回路形成用の露光装置で、時間当たり処理性能と精度を向上した新機種を1月に投入。... ArF液浸露光装置は半導体の回路線幅を微細化するもので、量産機としては...

搭載するNAND型フラッシュメモリーはチップ上の回路線幅に25ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用。

米AMDは、2013年にデスクトップパソコン向け中央演算処理装置(CPU)でチップ上の回路線幅に28ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した先端半導体を市場...

チップ上の回路線幅に22ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを適用した先端半導体の量産向け。... 新開発の「NSR―S621D」は回路パターンを2回以上に分けて転写し、微細な回...

同工場はルネサスがチップ上の回路線幅を微細化する先端半導体の試作に利用していた。

このためスパーク64IXfxはチップ上の回路線幅に40ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端プロセスを採用し半導体の集積度を高め、コア(回路)数を京の2倍の16個に増...

チップ上の回路線幅に50ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを用いた試作品で、容量64メガビットでセル動作を確認した。... メモリーは回路線幅を細くして性能を高めてきた。

開発したルテニウム材料は、回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の次世代DRAMに使われる、MOCVD(有機金属化学気相成長法)の成膜材料(プリカー...

オランダのASMLは18日、次世代半導体の回路微細化の製造技術として注目を集めるEUV(極紫外線)を活用した露光量産機の受注台数が11台になったと発表した。... EUV露光機は従来の...

ルネサスエレクトロニクスは2014年度にも半導体の回路を形成する前工程の外部委託比率を現行比2倍の約30%に引き上げる。... ルネサスはチップ上の回路線幅に28ナノメートル(ナノは1...

「HC―V700M=写真」「同V600M」の2機種は、チップ上の回路線幅に32ナノメートルプロセスを採用した高感度MOS(金属酸化膜半導体)型イメージセンサーを搭載。

チップ上の回路線幅に32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用。... メモリーの誤り検出・訂正回路は従来、機器側に入っており、主に512バイト当たり1ビットを訂正できる回路...

(チップ上の回路線幅を細くする)微細化投資には耐えきれなくなったが、システムLSIが音響・映像(AV)関連の中核商品であるのは事実。

(栗下直也) 【注目/商事機能で付加価値創出】 回路線幅の測定に使う測長SEMシェアは8割を超す。... 日立ハイテクは半導体の回路線幅を...

回路線幅が14ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の超微細化や3次元実装などで課題となる、オフ状態での漏れ電流を抑制・管理する超極浅接合層の形成を実現する。

【動作時間を短縮】 装置内部の空気清浄度「クラス1」は従来と変わらないが、最先端の回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)半導体への対応を明確にした。

米ザイリンクスはチップ製造後に容易に機能を変更できるFPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)で回路線幅28ナノメートル(ナノは10億分の1)の新シリーズ「...

回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の最先端プロセスによるシステムLSIを開発、量産してきたが、今後は生産委託を活用するなどで自前の工場設備を少なくする“ファブライト”の...

広帯域RFや直交周波数分割多重方式(OFDM)復調回路などを、回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)DRAM混載プロセス上に搭載したほか、シリコンウエハーを切り...

国内半導体大手の回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス工場建設に適用し、従来に比べ設計期間を5分の1に短縮。

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