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記事検索結果
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東京工業大学の王洋博士研究員と道信剛志准教授らは電子移動度の高い高分子トランジスタを開発した。... トランジスタは大気下に1カ月保存しても劣化は見られなかった。
【京都】ロームは、高速スイッチング時のノイズ抑制と効率性を向上させた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... インバーター搭載の省エネエアコンで軽負荷時の...
【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...
高周波での大電力トランジスタなどに活用できる縦型デバイスを開発したのに加え、サイズも現在の2インチから6インチに大口径化する技術シーズは開発して量産技術の確立を目指している。
「トランジスタやダイオードといった(1ワット以下の電力を扱う)小信号半導体では現時点で世界シェア首位に返り咲いた。
量子ビット素子内の状態を電気信号として読み出すため、不純物中の電子をトランジスタ電極に取り出すことを試み、成功した。
SiCは優れた物性の半導体である反面、金属−絶縁膜−半導体(MOS)構造のトランジスタに用いる場合は、絶縁膜を高電界から保護する必要があり、またMOSチャネル移動度をいかにして向上させ...
東ソーは短チャネル有機トランジスタ向けプリンテッド(印刷)エレクトロニクス材料を開発した。... 実用化に向け、高移動度が求められる短チャネル有機トランジスタに適しているとみている。&...
米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。
電力供給なしでトランジスタの電流を増幅できる。 トランジスタを入力端子とし、出力端子の間にT字の枝分かれを設け電子の引き込み口を作った。
情報通信研究機構の東脇正高センター長らは、次世代パワー半導体の候補として期待される「酸化ガリウム」を使った新型トランジスタ作製技術を開発した。... 従来の縦型酸化ガリウムトランジスタを上回る性能を実...
トランジスタのオンオフの優れた切り替え特性も確認した。 縦型スーパージャンクション(SJ)というトランジスタ構造を採用した。... 0・63ミリオームは1・2キロボル...
世界初の表面トンネルトランジスタの実証、DNA・タンパク分析チップ作製プロセスの確立などを担当した。
▽テクニカルブレーン「完全DCフォノイコライザー内蔵コントロールアンプ」(オーディオ用トランジスタアンプ)▽アクアテックス「羽根の無い遠心撹拌体C―MIX」(塗料など液剤を混合...
研究グループは、トランジスタと電極の間の壁を電圧により調整するなどの工夫で半導体材料への不純物添加を不要にし、柔軟性の高いセンサーを作り出すことに成功した。
米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
高周波であるメーンの110キロヘルツは、パワー半導体に使われる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の接合で素子破壊を起こしにくい。