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記事検索結果
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(編集委員・斎藤実) 新開発のプロセッサー「スパーク64IXfx」は、回路線幅に40ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端プロセス技術を適用して集積...
開発要員の一部を他事業に異動させたほか、チップ上の回路線幅を微細化した先端プロセス開発も限定する。... 東芝はNANDと同じく、システムLSIでも回路線幅を細くして記憶容量を高める微細化の開発に注力...
サムスンとエルピーダは2012年にチップ上の回路線幅に20ナノメートル(ナノは10億分の1)台のプロセス技術を採用した先端DRAMの生産を本格化。
グローバルに事業を展開する中、半導体の製造前工程(回路形成)に限ると、その生産拠点はすべて日本にあり、とりわけNANDは全量を四日市工場で手がける。 ... 半導体は...
業界筋によれば、アップルとTSMCは最終契約を結んでないが、すでに台湾TSMCの工場で、チップ上の回路線幅に28ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を用いた先端CPU「A6」...
チップ上の回路線幅が40ナノメートル(ナノは10億分の1)や同28ナノメートルなどの最先端微細プロセスで、特定の工場や知的財産に縛られない提案ができる。
東芝はチップ上の回路線幅を細くしてコストを低減する微細化技術ではサムスンをリード。... 5月、韓国紙『朝鮮日報』は社説で、回路線幅を微細化した先端DRAMの開発競争で常に半年程度進んでいたサムスンが...
半導体チップ上の回路線幅を微細化するに伴い、先端半導体の生産には巨額投資が必要になっており、設計に特化する動きは業界では必然。
当時、半導体不況が直撃したこともあり、システムLSIは回路線幅を微細化する開発に資源を集中し、生産への投資を抑えようとする機運が高まった。... ただ、日本の半導体のウエハー処理能力(回路形成...
半導体の回路形成を担う製造前工程が海外に流出する懸念が出てきた。... ただ、回路線幅を微細化した先端システムLSIの生産から撤退し、海外の受託製造会社への比率を増やす方針。... 東芝は回路線幅を細...
信号の品質向上によって補正処理に必要な回路の段数が20段から3段に減り、回路規模と消費電力がそれぞれ半分に圧縮できる。回路は回路線幅28ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸...
既存のフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にする装置で回路線幅の微細化を進めながら、EUVの量産適用を模索する。 露光技術は、波長が短くなるにつれ、シリコンウエハー上...
回路線幅を細くして容量を増やす微細化の進展の勢いが鈍っており、東芝やエルピーダメモリは2013年にも構造や動作原理を見直した3次元(積層)メモリーを投入する。... ただ線幅が細くなり...
回路線幅を細くして一つのウエハーに多くの回路を描く微細化技術と並び、大口径ウエハーの導入は低コスト化の切り札と位置づけられてきた。... 半導体の微細化は現在の線幅20ナノメートル(ナノは10...
潮目を変えたのが回路線幅を細くする微細化の進展だ。 FPGAにとって強みであり弱みでもあったのが、回路に組み込んだソフトウエアを自由に書き換え可能な点だ。... ただ、微細化の進展が...
四日市工場(三重県四日市市)の新棟で回路線幅24ナノメートル(ナノは10億分の1)品の量産を本格開始。... 東芝はサムスンに増産投資では劣っていたが、回路線幅を細くし...
250億円を2013年3月までに広島工場(広島県東広島市)に投じ、回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)、25ナノメートルのDRAMの量産にあてる。
