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三菱電、SiCパワー半導体チップ 電動車向けサンプル提供 (2024/11/18 電機・電子部品・情報・通信)

三菱電機は電気自動車(EV)など、電動車(xEV)向けに炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップの...

東芝デバイス&ストレージの従来製品はGaN電界効果トランジスタ(FET)とシリコン(Si)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を...

「(次世代トランジスタ構造の)ゲートオールアラウンド(GAA)の生産が一部で始まっている。... 28年ごろには相補型電界効果トランジスタ(CFET)の...

またロジックは3次元構造トランジスタの「ゲートオールアラウンド(GAA)」や「相補型電界効果トランジスタ(CFET)」に移行し、DRAMも3次元構造に向かうと予想される...

ローム/産機向け汎用IC (2024/9/2 新製品フラッシュ2)

低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ素)...

先端半導体分野では相補型電界効果トランジスタ(CFET)の構成材料を探索する。

ローム、中国EVにパワー半導体モジュール供給 (2024/8/29 電機・電子部品・情報・通信1)

ロームの第4世代SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ベアチップが採用された。

ローム、AC―DCコントローラーIC 産機向け4種投入 (2024/8/21 電機・電子部品・情報・通信1)

発売したのは低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ...

ローム、車載MOSFET10種発売 低オン抵抗・低発熱 (2024/7/31 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは低オン抵抗の車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)10機種を発売した。

SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は材料からインゴット、ウエハー、パッケージまで垂直統合を確立し、8インチウエハーの量産を実現して業界をリードする。2018年に...

従来、ロジックではトランジスタに電力を供給する電源線と、信号をやりとりする信号線は同じ層に形成されている。... 電源と信号を分けることで電源供給に抵抗が低い配線を利用できるため、トランジスタに電気を...

ミツミ電機、800キロヘルツ対応の電源IC開発 電力損失抑制・省エネ (2024/6/19 電機・電子部品・情報・通信2)

同じ電気回路に搭載する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を制御して、電力損失を抑制する。

三菱電、低電流領域向けSiC半導体モジュール (2024/6/11 電機・電子部品・情報・通信1)

三菱電機は10日、炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体モジュールの新製品2製品の販売を始めたと発表した。

SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)二つを1セットにしたモジュールを開発した。

独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...

パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧は600ボルト。

三菱電機、パワー半導体にSiC採用 xEV向けサンプル出荷 (2024/2/22 電機・電子部品・情報・通信2)

半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...

私たちは、ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)の研究を行っている。

物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。

三菱電、パワー半導体モジュールを60%小型化 サンプル提供へ (2024/1/24 電機・電子部品・情報・通信1)

シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。

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