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記事検索結果
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回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)級の半導体の量産に向けて試作ラインの構築を進めており、2025年4月の試作開始を目指す。... 回路線幅が7ナノメートルよりも小さい半導体の...
EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下のプロセスに対応する半導体加工技術。... 後継の同E320では高感度・高精度化により、開発が進む次世代のプロセスノードで対...
しかし、その後、中国通信機器大手の華為技術(ファーウェイ)が技術封鎖の対象であった7ナノメートル(ナノは10億分の1)半導体を搭載したスマートフォンを発表し、世界を驚か...
EUVより低コストで微細化 キヤノンの次世代半導体製造装置「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)装置=用語参照」が動き出す。... 特に7ナノメートル...
主に半導体設計を手がけ、回路線幅が7ナノメートル(ナノは10億分の1)や5ナノメートルの設計に取り組んできた。
同装置は、プロセスノードが7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端半導体の製造には不可欠だ。
東京大学の島村勇徳特任助教と三村秀和教授らは7日、最短2ミリメートルのミラーでX線を20ナノメートル(ナノは10億分の1)に集光することに成功したと発表した。神経細...
東京大学の桐谷乃輔准教授らの研究チームは、厚さサブナノメートル(ナノは10億分の1、サブナノは1ナノメートル未満)の2次元(2D)半導体を単離する手...
モーターの回転子鉄心形状を専用設計により最適化し、モーター効率94・7%を実現。... EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する。....
主力の直径300ミリメートルウエハーは24年4―6月か7―9月が大底になる予想。... 「半導体は成長産業で年6―7%ペースで伸びてきた。... 「国内新工場はいずれもエピタキシャルウエハーの...
TOPPAN(東京都文京区、斉藤昌典社長)は、ラピダスと提携する米IBMの開発向けに回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の次世代半導体用フォトマスクの供給を開始...
EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する半導体加工技術。
7ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として、先端半導体製造に不可欠となる。... ラピダスは回路線幅2ナノメートル以下という世界...
粘土は結晶の厚みが約1ナノメートル(ナノは10億分の1)で、0・7ナノメートルの樹脂層と隙間を挟んだ1200層の無機・有機のハイブリッド層によって気体の通過や拡散を遮蔽(しゃへ...
2ナノメートル(ナノは10億分の1)世代に適用すると0・7ナノメートルや1ナノメートルのサブナノ世代に相当する小型化が可能。... 2ナノメートル世代のGAAトランジスタはラピダスが米...
FinFETは3ナノメートルプロセスで微細化の限界を迎えると見て、IBMは2021年、ナノシート技術による2ナノメートルのチップを世界で初めて開発。指の爪ほどの大きさのチップに最大500億個のトランジ...
20ナノメートル(ナノは10億分の1)までは日本も生産していたが、その後、競争から脱落した。いまは3ナノメートルを生産する台湾積体電路製造(TSMC)がトップを走ってい...
