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ロームはIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の第4世代品として、パッケージ品「TO―247―4L=イメージ」など4機種とベアチップ11機種を開発し...
【京都】ロームはIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の第4世代品を開発、発売した。
低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ素)...
発売したのは低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ...
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と比べて高い周波数帯でも動作するSiCの特徴を踏まえ、タムラ製作所の電流センサーもSiC系パワー半導体の特徴である高周波に対応する。
独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...
「絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)やイメージセンサーでも競合はいる。
開発したのはパワー半導体の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール。... 最新世代のIGBTチップを搭載したほか、モジュール内部の端子配置やレイアウトなどを最適化。....
半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...
セラミックスの代替として、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などへの採用が見込める。
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)だけでなく、モーターやインバーター、ギアを一体化したEV駆動装置「イーアクスル」などの検査も想定し、対象物の大きさ別に3タイプを展開する。...
大電流・高電圧に強いパワー半導体のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)では14%に達する。 ... 日立パワーデバイスもIGBTで従来と比べ高性能...
ミネベアミツミは買収を通じ、電気自動車(EV)向けに需要が増加しているIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の強化を図る。... 今回の買収でミネベアミツミはI...
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心とするパワー半導体に関しては「短期的には少し落ちる」(柴田英利社長)と想定。
車体軽量化に伴う材料の変化のほか、シリコン(Si)製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体需要の拡大を見据えたマシン開発を推進する。
EVで一般的なシリコン(Si)製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体の量産を25年に始める。
ロームは1200ボルト耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「RGAシリーズ」が、独セミクロンダンフォス(ニュルンベルク市)のパワーモジュール製品に採用され...
自社設計したシリコン(Si)製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を国内の提携先で生産する体制を構築している。22年に予定していたIGBTのサンプル出荷は、予定...
ディスコはSiCウエハーをレーザーで効率的に切り出す装置やIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)向けにウエハーの外周を残して薄く研削できる装置などを手がけ、これら装置を含む「そ...
