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記事検索結果
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昭和電工のパワー半導体材料のシリコンカーバイド(SiC)エピタキシャルウエハーがデンソー製の燃料電池車向け次期型昇圧用パワーモジュールに採用された。... SiCパワー半導体は高電圧特...
低損失で温度変化に強く、電気自動車(EV)などで採用が進む炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの技術開発などに取り組む。... UAESはローム製SiCパワーデバイスを採...
ノリタケカンパニーリミテド 研磨剤スラリーを使用しない半固定砥粒研磨工具「LHAパッド」 SiC、傷つけず高速加工 【環境にも優しく】 「傷が入らず...
岩崎通信機は30日、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの評価に特化し、同社初となる最大入力8チャンネルのオシロスコープ「DS―800...
汎用的で塑性変形しにくいチョクラルスキーシリコン基板を下地にし、独自の成膜技術で炭化ケイ素(SiC)薄膜とGaNの厚膜を形成させる(写真)。高周波性能に優れ、従来の半絶...
シリコンだけでなく、小型基板が主流となっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体ウエハーにも対応できる。
三菱電機はスイッチング損失を従来比で約30%低減したパワー半導体「SiC―MOSFET 1200V―Nシリーズ TO―247―4 パッケージ」6品種のサンプル提供を月内...
既存の回転工具による加工が難しいサブミクロンオーダーや、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの脆性材の加工に対応する。
次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で成果を前倒して性能やコスト面で先行できそうだ。
GaN、炭化ケイ素(SiC)、ガリウムヒ素(GaAs)などの化合物半導体を使う5G通信用デバイス、パワーデバイス、マイクロLED向けが好調で、各装置の売上高のうち化合物...
黄色粘着捕虫シート「ラスボスRタイプ」 大協技研工業 【日本力(にっぽんぶらんど)賞】=4件 ◇低燃費タイヤDUNLOP「エナセーブ...
NTTは東京工業大学の小山二三夫教授と共同で、高い熱伝導率を持つ炭化ケイ素(SiC)基板上にインジウムリン系化合物半導体を形成した薄膜構造のレーザー(メンブレンレーザー)...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)チップのみを使った産業機器用フルSiCパワー半導体モジュール(写真)9品種を2021年1月から順次発売する。... 新開発のSiCチップを...
自動車のブレーキ用などに炭素繊維と炭化ケイ素(SiC)の複合材料から供給を始める。... 当面、アキシオムはSiC材料のプリフォームを生産する。従来のSiC材料で課題だったもろさを繊維...
日本と同様に車載向け炭化ケイ素(SiC)パワー半導体などの需要に期待できる欧州で「IWATSU」ブランドを浸透させる。
【北九州】高田工業所は、炭化ケイ素(SiC)ウエハーやセラミックス基板などの難切材を高速切断する超音波カッティング(ダイシング)装置を刷新、「CSX501」として12月...
【名古屋】豊田バンモップス(愛知県岡崎市、田渕一雄社長、0564・48・5311)は、高性能パワー半導体向けに需要拡大が期待される炭化ケイ素(SiC)ウエハー用に、表面...
中でも従来のシリコンウエハーを使用したパワー半導体に加えて炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった材料を使用したパワー半導体が注目を集めている。 &...
