工業材料９月号／次世代モビリティを支えるパワー半導体の開発動向

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１２日に発売する日刊工業新聞社発行の月刊誌「工業材料９月号」では「次世代モビリティを支えるパワー半導体の開発動向」を特集する。

近年、ハイブリッド車や電気自動車など、自動車業界は電動化を総称する「ｘＥＶ」の普及に向けて大きくかじを切っている。ｘＥＶを実現する上で、電力の制御や供給を行うパワー半導体は不可欠で、高機能化・高性能化・高品質化に向けた技術開発が急ピッチで進んでいる。中でも従来のシリコンウエハーを使用したパワー半導体に加えて炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）といった材料を使用したパワー半導体が注目を集めている。

本特集ではこうした車載用パワー半導体の開発動向を回路、実装・パッケージ、チップ、分析・評価技術の観点から紹介し、今後を展望する。

冒頭の総論では、最新動向と今後の展開を筑波大学の岩室憲幸教授が紹介し、続く解説では、第一線の研究者や技術者がノイズ抑制、高電力密度化、高耐熱樹脂材料、放熱設計などをテーマに論じる。