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記事検索結果
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技術力のある高耐圧IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)など限られた領域でなら勝負できる。... 高耐圧IGBTは、省エネニーズの高い鉄道車両向けで海外顧客を開拓する。... ...
直径150ミリメートルシリコン基板上に作製したデバイスで耐圧600ボルト以上、飽和電流10アンぺア以上の動作性能を確認した。... パウデックは12年に独自構造「分極スーパージャンクション構造」を用い...
先進パワーエレクトロニクス研究センターの福田憲司総括研究主幹、米澤喜幸超高耐圧デバイスチーム長らは、SiC半導体を使って独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ(IGBT)を開発し...
耐圧性の高い直径33センチメートルのガラス製の球体に撮影機器や通信機器などを搭載する。... 6月に3Dハイビジョンカメラを用いた海中撮影、水深8000メートル相当の耐圧試験に成功。
完成した「BD9428=写真」は、LEDの駆動を制御する金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧を80ボルト(従来は60ボルト)、最大電流を250ミ...
【カベは大電流】 ダイヤモンドは、半導体材料の中で最も高い絶縁耐圧(シリコンの100倍)と、最も高い熱伝導率(シリコンの14倍)を誇る。... 今後、...
重量5万5000トンの建物の下を仮受け杭(鋼管)を打ちながら掘り進み、分厚いコンクリートの耐圧版を築いて免震装置を設置していく。
