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エルピーダメモリは回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)台プロセスを採用した最先端DRAMにアルミニウム配線を採用した。... 同社は線幅50ナノメートルDRAMで銅配線に切り...
回路線幅40ナノ、55ナノメートル(ナノは10億分の1)システムLSIの量産が本格化し、2009年10―12月期の55%から10年1―3月期に75%に向上。
NECエレクトロニクスは26日、回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスのASIC(特定用途向けIC)を10件以上受注したと発表した。
「(直径300ミリメートルウエハーラインを持つ)先端半導体を生産する三重工場(三重県桑名市)の回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)ラインは10...
従来材料の酸化ケイ素は信頼性は高いが、トランジスタの回路線幅が微細化し、漏れ電流が増大するなど材料限界に達している。
コスト競争力の高い回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスによるNAND型フラッシュメモリーを搭載した製品群を拡充、量産効果で一段の普及を図る。
アドバンテストは半導体フォトマスク用線幅測定電子顕微鏡(CDSEM)「E3610/E3620=写真」を自社ブランドで発売した。... 回路線幅22ナノメートル(...
10―12月期の稼働率は三重工場(三重県桑名市)の回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)ラインが100%、90ナノメートルラインが約90%。.....
ただ、回路線幅が40ナノメートル(ナノは10億分の1)台、30ナノメートル台、さらに20ナノメートル台へと微細化するにつれ「技術開発に遅れるメーカーが出始める」(業界関係者&#...
10年3月末までは回路線幅43ナノメートル(ナノは10億分の1)から線幅32ナノへの切り替え投資を優先し、32ナノ比率を65%まで高める。... 早ければ4月に稼働する新製造ラ...
エルピーダメモリは17日、回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを使いつつ、線幅50ナノメートルプロセスと同等のコスト競争力を持つ1ギガビットDDR3・SDRAM「65...
DRAMは回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)世代で技術的に微細化の限界が訪れるとされ、エルピーダは代替としてPRAMに焦点を当てていた。... 同社は年内に線幅40ナノメー...
回路線幅は最先端の32ナノメートル(ナノは10億分の1)製造プロセスを採用した。... 東芝は7月から最新の回路線幅32ナノメートルプロセス品の量産を開始した。年度内に線幅32ナノメー...
NECエレクトロニクスと東芝が回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代システムLSI向けプロセス技術ならびに量産技術の共同開発の陣容を大幅縮小した。... NECエレは06年...
来年1月から回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)製品の出荷が本格化するため、10月後半からウエハー投入量を戻しており、稼働率が2割程度上昇する見込みだ。 ... 山形...
「来年3月までに回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)比率を65%に高める。... 「線幅40ナノメートルまで自社で投資してきたが、11年以降の同28ナノからファウンド...
