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記事検索結果
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【浜松】静岡大学電子工学研究所の香川景一郎准教授と川人祥二教授らの共同研究グループは3日、世界最速となる毎秒2億枚のコマ数が撮影できるシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージ...
無線機は最小配線半ピッチ65ナノメートル(ナノは10億分の1)のシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作。
最小配線半ピッチ65ナノメートル(ナノは10億分の1)のシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで回路を試作した。
東京大学や大阪府立産業技術総合研究所などの産学官共同チームは26日、温度センサーとデジタル回路を組み合わせた単結晶の有機相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路(写真、10センチ...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
薄膜BOX構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SOTB―MOSFET)は、集積回路の動作電圧を低減して消費電力を下げるトランジスタ構造。
だが、自動車色が強まるCESを意識してか、報道向け説明会では車載カメラ向け相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの紹介を盛り込んだ。
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
大規模なセンサーネットワーク回路の駆動に必要な、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路の構成に使う正型・負型両極性の高性能なトンネルFETを開発。
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の森貴洋新材料・機能インテグレーショングループ研究員らは、多結晶膜の新しい形成技術を開発し、n型の多結晶ゲルマニウムトランジスタの電流駆動力を従来比10倍...
従来の金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタとほぼ同等の素子構造にした上で、シリコンに引っ張り応力を加えた「ひずみシリコン」と、ゲルマニウムとのヘテロ界面(異なる種類の半導体を...
静岡大学発ベンチャー企業のブルックマンテクノロジ(浜松市中区)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積回路やイメージセンサーの設計、開発を手がける。
ソニーは動く被写体を追従するオートフォーカス機能を搭載した、スマートフォン向け積層型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー「エクスモアRS IMX230=写...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。
