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記事検索結果
758件中、25ページ目 481〜500件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.027秒)
磁気メモリーなどの「ピン層」と呼ぶ強磁性層の面積を現状の1万分の1にできる可能性があり、次世代スピントロニクスデバイスの微細化が期待できる。
「移動スピン共鳴=イメージ図」と名付けた電子スピンに関する新たな動作原理を見つけだして同原理を実証した。... 近年、半導体内のスピンを量子コンピューターに応用しようとする研究が活発化している...
ダンロップスポーツ 3月19日にスピン性能を高めたクリーブランド「588RTX(ローテックス)ウェッジ」シリーズを発売する。... 従来モデルに比べ、溝面積を16%高め...
助成対象は中村泰信東京大学先端科学技術研究センター教授の「固体中のスピン集団励起モードを介した光量子とマイクロ波量子の結合」、浜田俊幸北海道大学大学院医学研究科特任講師の「体内時計ペースメーカー細胞に...
強磁性体からスピンを強制的に流し出す「スピンポンピング」を用いた。これにより、すでに実現しているn型シリコンでの室温スピン輸送と合わせ、スピン情報を伝える基礎技術が整ったことになる。... 研究グルー...
従来、薄膜塗布はスピンコートと呼ばれる液滴を薄膜上に落とし、高速回転させる方法と真空中で膜をつける真空蒸着法が主流だが、性能面と費用に課題があった。
開発した方法を使えば、どんな物質でもスピン伝搬距離を正確に求められる。量子コンピューターなど、スピンを使った情報通信分野の実現に役立つと期待される。 ... この偏りはスピンと軌道の...
東京工業大学の菅原聡准教授、周藤悠介特任助教らの研究チームは、神奈川科学技術アカデミーと共同で、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)と電子の磁気的性質(スピン)の融合技術...
今回の成果は磁性ナノヘテロ接合におけるスピン(電子の磁気的性質)技術を利用したもので、研究では、膜厚が1ナノメートルの数原子層程度のコバルト鉄ホウ素からなる磁性層を、0・2ナノ―1・6...
また、これまでオプション設定としていた車間距離警報装置「ディスタンスウォーニング」、滑りやすい路面などで走行を安定させる「ASR(アンチスピンレギュレーター)」も新たに標準装備して安全...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
スピンのそろった電子の注入効率を3倍に高める技術と、スピン軌道相互作用を持つ積層構造。... 注入効率は、2種類のスピン軌道相互作用の大きさをほぼ等しくするようスピン軌道相互作用を精密に調整して実現し...
国立情報学研究所の山本喜久教授らの研究チームは、量子もつれ中継技術に関する研究開発の一環として、半導体量子ドット中の単一電子スピンと通信波長帯の単一光子の間の量子もつれ状態の生成に成功した。... 二...
これにより、同センターの次世代重イオン加速器施設「RIBF」で利用できる全ビームを従来比で平均約10倍、とくにウランビームの場合、同約50倍の種類のRIをスピン操作できる。... しかし、スピンの向き...
全国の大学・研究機関などから322件の応募があり、東北大学金属材料研究所の「絶縁体熱電材料の開拓と高効率熱―スピン流変換機能の創出」など計29件に選ばれた。
