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記事検索結果
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三菱マテリアルは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの高温半導体素子を接合するための焼結型接合材料で、銅を使った2種類の材料を追加で開発した。
GaNはシリコンカーバイド(SiC)など従来の半導体材料に比べてエネルギー変換効率が高まり、輸送や発電などの用途に用いることで省エネルギー化できる。
システムイノベーションセンター(SIC、斉藤裕センター長=ファナック副社長)は3月1日14時から、東京・西新宿のベルサール新宿グランドコンファレンスセンターで設立記念シンポジウ...
強い危機感の下で発足したSICの活動が注目される。... SICの発起人には木村名誉教授のほか、ギル・プラットトヨタ・リサーチ・インスティテュート(TRI)最高経営責任者(CE...
ヘッドスプリングは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代半導体を使い、小型で耐熱性があり、変換効率のよい変換器の開発・製造技術を持つ。
成長市場に向け、電子材料用高純度ガス事業や、パワー半導体用SiC(炭化ケイ素)事業での積極的な設備投資を続ける。
砥粒にダイヤモンドを用いることで、切削工具や一般砥石では硬くて加工ができないサファイア、炭化ケイ素(SiC)などの非鉄系難削材も容易に加工できる。
フィリピン工場の新棟も6月に稼働予定だ」 ―次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体に約600億円を投じる計画で、当初の25年3月期までからを前倒しする方針です。&#...
その後、SiCパワーデバイスの量産試作ラインを整備し、企業との共同研究によりこのデバイスを実用化した。 ... 従来は1200ボルト耐圧クラスでは困難だったSiC―MOSFETとSi...
【相模原】さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区、橋元雅敏社長、042・770・9119)は、敷地内で建設を進めるインキュベーション施設「SIC―2」増築棟(イメージ...
パワー半導体材料として注目される炭化ケイ素(SiC)やサファイアなど硬脆材料の研削ができ、軽薄化と自動化による高効率化を後押しする。
SiC結晶の非破壊測定技術は世界初という。... SiC試料を動かして測定位置を内部に合わせて測定する。 ... SiC結晶が均一に電気を流す特性を持ち大電力を電圧転換できれば、消費...
実用化が進む炭化ケイ素(SiC)パワー半導体は性能が高いがコストも高く、普及の妨げとなっている。酸化ガリウムはSiCと同等以上のデバイス特性を発揮し、コストを半分以下に減らせると期待さ...
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの原田信介SiCデバイスプロセスチーム長らは、通電時抵抗が世界最小という炭化ケイ素(SiC)トランジスタを開発した。... 0・...
自動車用の電力変換機器を高性能化できる炭化ケイ素(SiC)半導体。... SiC半導体は価格が高く、歩留まりにも改善の余地がある。「SiCデバイスの使用量が増える適切な時期に、適切な価...
素子の誤動作が減り、自動車や産業機器などへのSiCパワー半導体の普及が期待される。 ケイ素のパワー半導体素子に比べSiCパワー半導体素子は電気抵抗が低く省エネへの貢献が期待されている...
さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区)は12月5日17時から町田市文化交流センター(東京都町田市)で「第19回SIC経営者セミナー」を開く。... 問い合わ...
まずシリコンウエハーをターゲットに拡販するが、今後は炭化ケイ素(SiC)など化合物ウエハーに関しても加工の完成度を高める。
