光ピックアップ制御を行うサーボ制御回路やデータ変調・復調回路、デジタル・リードチャネルなどDVDへの記録・再生に必要な機能をワンチップ化した。... また、回路線幅90ナノメートル(ナノは10...

米国オレゴン州やアリゾナ州、ニューメキシコ州など既存の製造拠点に資金を投じて、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体を製造する。

08年度の設備投資950億円に圧縮、レックスチップへの投資見送り、回路線幅65ナノメートルへの微細化前倒しなどコスト削減に努めたが、DRAMの価格下落を補えなかった。

この赤字縮小を目指した構造改革の延長線上に業界再編が位置付けられる。... 半導体は現在、量産ベースでは回路線幅40ナノメートル世代が最も微細化したもの。... 【材料が課題】 「回路線幅32...

米インテルは09年中に、マレーシアとフィリピンにある製造後工程(組み立て)3ライン閉鎖と米オレゴン州とカリフォルニア州の製造前工程(回路形成)のライン縮小などを盛り込ん...

2010年1月に回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスで量産を始め、2013年1月に同10万個に引き上げる。

チップ上の回路線幅に32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体の生産立ち上げなどに資金を投じる。

現在、量産ベースで最も微細化した回路は、その線幅が45ナノメートル。... 半導体の回路がナノメートル単位にまで微細化すると、回路を焼き付ける露光光源の波長の方が回路線幅より太くなり、対応できない。....

東芝は四日市工場(三重県四日市市)でのNAND型フラッシュメモリー製造で、既存の第4製造棟に回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスを導入する。...

回路線幅を45ナノメートルまで微細化した先端半導体にかかる数千億円もの投資負担を軽減するのが狙い。... ルネサスでは、回路線幅45ナノメートルの先端半導体を携帯電話用システムLSI「SH―モバイル」...

エルピーダは09年1―3月期に、回路線幅50ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した先端DRAMを量産する計画。

回路線幅はマイクロ(100万分の1)からナノ(10億分の1)の領域へ進み、最近ではペースダウンしたとはいえ、3年で2倍のペースである。

ニコンは、チップ上の回路線幅22ナノメートルプロセスの次々世代半導体製造に、2回露光(ダブルパターニング)を適応する技術開発に着手した。... 露光装置メーカー各社は、回路線幅32ナノ...

直径300ミリメートルウエハーラインのほか、回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端半導体製造に資金を投じる。... また、09年1―3月期には、チップ上の回路線幅に40ナ...

一方で、ArFドライ露光装置のほか、普及機に相当するフッ化クリプトン(KrF)やi線を光源に採用した露光装置は、受注が弱含んでいる」 ―受注低迷はメモリーの市況悪化が背景にあり...

東芝とNECエレクトロニクスは、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体の共同生産計画を先送りする。... 東芝とNECエレは、回路線幅32ナノメー...

これから生産する製品は回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以降。... 各社が需給バランスを意識して設備投資しないと、業界全体が再び沈んでしまう」 ―線幅20ナノメー...

記憶素子となるNAND型フラッシュメモリーに、回路線幅43ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスとともに多値記憶技術を採用し、記憶容量を従来製品の2倍にした。

半導体チップはシリコンウエハー上に回路形成して切断、配線や樹脂封入して製造する。... 半導体は現在、チップ上の回路線幅が45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスまで微細化した。...

エルピーダメモリはチップ上の回路線幅に50ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を用いた先端DRAM「モバイルRAM」を開発した。... モバイルRAMの回路形成には、ウエハー...