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記事検索結果
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40ナノメートル(ナノは10億分の1)の量産型の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスでフリップフロップ回路を作った場合、従来比で最大77%の消費電力を削減...
電源を切ってもデータを保持する不揮発型。省電力を生かし埋込型の電子機器や超小型ロボット、センサーへの応用が期待される。 ... 現行の線幅32ナノメートルの相補型金属酸化膜半導体(CM...
高倍率化や暗所での撮影性能向上など、従来のコンパクト型の課題を解消した新製品で、競争の厳しい市場で値下げへの抵抗力を高める。... 裏面照射型の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサ...
ソニーは東芝からの工場の買い戻しを含め、長崎の拠点に11年度に約1000億円を投じ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産を増強する。
TR100はレンズを中心にフレームが360度、3型のモニターが270度回転する仕組みで、被写体の動きを感知してシャッターを切る機能を利用して距離を置いての自分撮りも可能だ。1210万画素の裏面相補型金...
日本ビクターは3日、最大で毎秒60枚の高速連写とフルハイビジョン動画の撮影を可能にしたハイブリッド型カメラ「GC―PX1=写真」を2月下旬に発売すると発表した。... 1062万画素の相補型金...
パナソニックは26日、回路線幅110ナノメートル(ナノは10億分の1)のバイポーラ相補型金属酸化膜半導体(BiCMOS)製造プロセスを開発したと発表した。
キヤノンは19日、業務用の高性能相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー搭載で1画素当たりの受光面積を従来比2・6倍にした家庭用ハイビジョン(HD)ビデオカメラ「アイ...
富士フイルムは同社初のGPS機能のほか、1600万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用した「ファインピックス F550EXR」を3月末に国内外で発売する。
東芝からの工場の買い戻しを含め、長崎の拠点に2011年度に約1000億円を投じ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産を増強する。
シリコン基板上に量子ドットレーザーを貼り付けたシリコン光源を3年間で開発し、将来、現行の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで量産してLSIチップに集積化する。
東京大学大学院工学系研究科の鳥海明教授らは、15ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に使う新しい材料として、化合物半導体のゲル...
ルネサスエレクトロニクスは28ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のシステムLSI開発に向け、標準の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジック回路と親和性の高い混...
3・2メガバイトの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラに対応でき、一般的に使われる1・2メガバイトのカメラと比べ、高精細な撮影が行える。
東京大学と産業技術総合研究所などは6日、22ナノメートル世代(ナノは10億分の1)のLSI開発に向け、従来のシリコンの限界を超える相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トラ...
今回SMTでナノワイヤトランジスタを試作したところ、n型トランジスタのオン電流が1・5倍以上になった。n型とp型を作り込んだ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)にしても、オン電流は30&...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積シリコン・ナノフォトニクスと呼ばれる新技術で、10年間にわたって研究してきた成果。
