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完成した「BD9428=写真」は、LEDの駆動を制御する金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧を80ボルト(従来は60ボルト)、最大電流を250ミ...

【キヤノン/デジタルシネマカメラCINEMAEOSSYSTEM:EOSC300】 映像制作に最適化されたスーパー35ミリメートルサイズの相補型金...

SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を搭載し、低電流域のオン電圧を自社の従来製品比で66%低減しており、エアコンのエネルギー消費効率...

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路部と微小電気機械システム(MEMS)センサー部を1チップに集積し、小型・高精度を実現。

70DはAPS―Cサイズ・約2020万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、Wi―Fi無線通信機能を持つ。

通電時の電気抵抗(オン抵抗)が低いスーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―MOSFET)採用。

東芝のNAND型フラッシュメモリーやソニーの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーなど競争力の高い製品は少なくなく、国の支援を受けて半導体関連の国内での設備投資が活発化する可能性も...

X―M1は独自開発のAPS―Cサイズ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、「35ミリメートルフルサイズ版センサーを搭載する機種と比べても遜色のない画質を実現した」(...

主な対象は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー。

【高い表現力】 加えて大型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーの搭載などで「ぼけ味」など高い表現力を実現した。

画素数が約31万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用し、夜間も見やすくした。

28ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作した送受信回路チップ(4チャンネル)はクロック周波数が16ギガヘ...

1セル当たり2ビットの多値構造を採用したMROMを40ナノメートル世代(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作したところ、0・9ボルト電...

富士フイルムとパナソニックは11日、有機薄膜を搭載した相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー技術を開発したと発表した。

【横浜】筑波大学の大毛利健治准教授は、ディー・クルー・テクノロジーズ(横浜市港北区、石川明彦社長、045・470・0533)と東京工業大学とともに、金属酸化膜電界効果トランジスタ...

東北大学はNECの試作協力で、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(MTJ)素子と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を組み合わせた論理混載用1メガ不揮発性メモリー...

汎用の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使う安価な製造法でゲート電極を二つの異なる材料で精密に作り込み、電力増幅を効率化した。... さらに電極の下に形成するゲート絶縁膜の膜...

産業技術総合研究所は住友化学と共同で、LSIの低消費電力化に寄与する、ゲルマニウムとインジウム・ガリウム・ヒ素を使った相補型金属酸化膜半導体(CMOS)インバーターを開発し、動作を実証...

同社として初めて約31万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用。

そこでアップルの穴埋め先として目を付けたのが、事業規模を拡大しているソニーの高機能相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーだ。

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