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例えば独SAPのインメモリーデータベース(DB)『HANA』は数十テラバイト(テラは1兆)の巨大なメモリーを持つ。クラッシュしたら再度メモリーから読み込んでDBを再構築...

反強磁性体の不揮発性メモリー研究で、磁場の反転速度が10ピコ(ピコは1兆分の1)秒以下と確認。... 磁気抵抗メモリー(MRAM)を開発する米国や韓国のメーカーに対抗。...

高速動作する不揮発性メモリーへの応用が期待される。 ... データの維持に電力のかからない次世代不揮発性メモリーとして期待されている。

電圧印加を止めた後も電荷が消えることなく保存されると、不揮発性メモリーとなる。 これまでに、さまざまな材料で有機メモリー素子が試作されているが、耐久性やデータ容量、メモリー保持時間な...

ローム、高温対応EEPROM 書き込み速度3.5ミリ秒 (2020/12/24 電機・電子部品・情報・通信)

EEPROMは電気的に書き込み・消去が可能な不揮発性メモリー。

第5世代通信(5G)向けなどを中心にファウンドリー(半導体受託製造)やロジック、メモリーなどと半導体需要がそろって旺盛だからだ。... ロジック、ファウンドリーが高水準...

低消費電力で動作するIoT(モノのインターネット)向けの低コストな不揮発性メモリーなどとして応用できる。... 今回、メモリーとして応用する際の低消費電力化に必要となる、従来比約3分の...

ソニー、消費電力9mWのLSI GNSS受信用 (2020/8/20 電機・電子部品・情報・通信1)

独自の測位アルゴリズムで、受信の環境や条件が変わりやすい状況でも測位の精度や安定性が高い。 不揮発性メモリーも内蔵した。外付けメモリーを追加せず最新ファームウェアにアップデートできる...

強誘電体を用いた高速かつ大容量の不揮発性メモリー(FeRAM)や人工シナプスの実現につながる。

東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、極薄の酸化物半導体(IGZO)のトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリーを3次元に積んだ人工知能(AI)チップを開発した。....

ワイル粒子でメモリー原理実証 東大 (2020/6/8 科学技術・大学)

東京大学物性研究所の肥後友也特任助教、東大院理学系研究科の中辻知教授らの研究グループは、幻の粒子「ワイル粒子」を使った不揮発性メモリー素子の原理を実証した。... ワイル粒子の作る巨大電圧信号を用いて...

SCMに求められる性能は、DRAM程度の高速性を有し、ランダムアクセスが可能、NANDフラッシュメモリーよりも高速かつ低コストで、十分に大容量なものが望まれる。さらに低消費電力化の実現のため、電源供給...

東芝メモリ、128Gbitの次世代メモリー開発 (2019/8/7 電機・電子部品・情報・通信1)

東芝メモリは6日、次世代メモリーと呼ばれるストレージ・クラス・メモリー(SCM)の新製品「XL―FLASH」を開発したと発表した。... 新製品は3次元NAND型フラッシュメモリー技術...

中央大学理工学部の竹内健教授らは、データの精度を落としエラーを許容する計算手法で、高速で低電力な抵抗変化型メモリーストレージ(外部記憶装置)の要素技術を開発した。... 抵抗変化型メモ...

分極反転エネルギーよりも低い温度領域では、分子分極を凍結できる(広島大提供) 広島大学大学院理学研究科の西原禎文准教授らは、市販の不揮発性メモリー...

そこで注目されているのが、電源を切っても情報が失われない低待機電力の不揮発性メモリーである。 ... このジレンマは磁気メモリーだけでなく、他の不揮発性メモリーでも共通の課題となって...

半導体メモリー業界に転換期が訪れている。... インテル、戦略転換へ 今回の提携解消は、主に自社のサーバー向けにNANDを確保したいインテルと、メモリーメーカーとして広くNANDを供...

東京エレク、MRAM開発で米社協業 40―50%小型化へ (2017/10/24 電機・電子部品・情報・通信1)

東京エレクトロンと米スピン・トランスファー・テクノロジーズ(STT)は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリー「MRAM」の開発に向けた協業契約を結んだ。... また揮発性メモ...

原子レベルで動く極小の原子スイッチFPGAは、不揮発性メモリー(SRAM)を使った既存のFPGAに比べ、チップサイズが3分の1以下で電力効率は10倍。

これも含めて17年度のメモリー事業の投資額見通しは計3800億円だが「判断ベースではさらに積み増す可能性がある」(成毛副社長)。... SKが今後、NAND事業への関与を強めたいと動く...

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