記事検索結果

FJコンポジット、セラ絶縁基板量産（2014/6/3）

独自の接合方法によって窒化ケイ素(SiN)など絶縁セラミックスと回路基板の接合強度を従来法に比べ2倍以上に高めた。... SiN以外に窒化アルミニウム(AlN)やアルミ...

旭化成、米VBを買収−UV―LEDの開発加速（2012/1/12）

旭化成は11日、窒化アルミニウム(AlN)基板を用いた紫外発光ダイオード(UV―LED)の開発を進める米ベンチャー企業「クリスタルアイエス」(CIS&...

窒化アルミニウム(AlN)の約2倍の熱伝導率を持つ銅合金上に、耐熱性や耐熱衝撃性などに優れる特殊セラミックス絶縁層と電極を積層した。AlN基板に対し放熱性を15%以上向上させた...

日揮、パワー半導体参入−窒化ケイ素基板開発（2011/8/2）

子会社のセラミックメーカー、日本ファインセラミックス(JFC、仙台市泉区、若林俊克社長、022・378・7825)が産業技術総合研究所と共同で、高い強度と熱伝導性を持つ窒化ケイ素...

窒化アルミニウム(AlN)より放熱性が高く、低コストで生産できる。... AlNの約2倍の熱伝導率を持つ銅合金上に、耐熱性などに優れる特殊セラミックス絶縁層と電極を積層した。

旭化成、社内VC活性化−環境・エレ・医薬に重点投資（2010/9/6）

CISは紫外線など短波長の光を発する窒化アルミニウム(AlN)LED基板の技術を持つ。旭化成もAlNを研究しており、CISに資本参加することで、開発を加速。15年までに事業化する方針だ...

MARUWA、EV・HV向け窒化アルミ基板を増産（2008/7/11）

【名古屋】MARUWAは自動車に搭載する電力用半導体(パワーデバイス)用の窒化アルミニウム(AlN)基板を増産する。... AlN基板は熱伝導性、電気絶縁性が高いほか、...