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資金は前工程では北海道千歳市でのラピダスの生産拠点の建設や、極端紫外線(EUV)露光装置といった設備導入などを進める。
大日本印刷(DNP)は27日、極端紫外線(EUV)リソグラフィーに対応した2ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のロジック半導体向けフォトマスク...
同結晶は紫外レーザーの波長変換素子として、今や次世代半導体の製造に用いる極端紫外線(EUV)露光の前工程と後工程に必須の素材だ。
EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する最先端の半導体加工技術。... (横浜・青柳一弘) 【製品プロフィ...
25年度には元の成長軌道に戻る」 ―極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの好調は継続しますか。
EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する。パターン付きマスクの検査を露光光源と同じEUVで行う同社の検査装置「ACTISシリーズ」に搭載され...
レーザーテックは、自社開発の高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源を標準搭載したEUV露光用マスクパターン欠陥検査装置「ACTIS A300」の受注を始めた...
リンテックは極端紫外線(EUV)露光装置向けに、フォトマスク(半導体回路の原版)の防塵カバー「ペリクル」を開発した。... リンテックは半導体回路パ...
最先端のEUV露光機に対応したカーボンナノチューブ(CNT)膜ペリクルの開発を目指す。半導体の微細化に伴いEUV露光機の高度化が進む中、半導体関連事業の成長に向けて次世代ペリクルを実用...
EUV露光装置は回路線幅7ナノメートル以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として先端半導体製造に不可欠となる。 ... TOPPAN/次世代2ナノメート...
従来機種に比べ検出性能を高め、次世代半導体の微細化プロセスと高開口数(NA)EUV露光に対応する。... ACTISシリーズはパターン付きマスクの検査を露光光源と同じEUVで行う装置。...
次世代半導体の量産を目指すラピダス(東京都千代田区、小池淳義社長)は、北海道千歳市に建設中の工場で微細加工に不可欠な極端紫外線(EUV)露光装置を2...
同社が製造する極端紫外線(EUV)露光装置は、最先端半導体の生産に欠かせず、数十人から100人程度の技術者が、ラピダス新工場の生産ラインの立ち上げや保守点検に協力する。 ...
キヤノンは微細な回路をハンコを押すように形成できる「ナノインプリント」の技術を使った半導体露光装置「FPA―1200NZ2C=写真」を発売した。... 極端紫外線(...
レーザーテックは半導体向け極端紫外線(EUV)露光用パターン付きマスクの欠陥を高感度で検出できる高輝度EUVプラズマ光源「URASHIMA(ウラシマ)...
蘭ASMLのクリストフ・フーケ副社長は、ラピダスがパイロットラインを立ち上げる2025年までに極端紫外線(EUV)露光装置の導入準備を進めるほか、台湾積体電路製造(TSMC&#...
光源に化合物のフッ化アルゴンを用いたArF液浸露光装置は、EUVより一世代前の露光装置。... 一方、先端のEUV露光装置は一服感が目立つ。... EUV露光装置を設置するための熟練工も不足している模...
EUV露光用部材増強 ―事業環境の認識は。 ... (中国の需要に対し)今後どのようなサプライチェーン(供給網)...
ADEKAは千葉工場(千葉県市原市)でEUV(極端紫外線)フォトレジスト向け材料の生産設備を増設した。... フォトレジストの開始剤として使用され、...
AGCは27日、半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの生産能力について、2025年までに現在と比べ約30%増にすると発表した。... AGCでは17年に...
