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記事検索結果
69件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
原理上はSiC基板の一面を超電導にできる。... SiC基板の表面に炭素原子が並んだ面にグラフェンを1層形成する。ここにカルシウムを蒸着し加熱するとSiCとグラフェンの間と、SiC基板の炭素原子の層と...
産業技術総合研究所の中島昭主任研究員と原田信介研究チーム長らは、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)を組み合わせたトランジスタを開発した。... Si...
従来のGaN結晶の基板はシリコン(Si)や炭化ケイ素(SiC)などが主だった。 ... 結晶の硬いGaNを基板にガン・オン・ガンとすることで、高電圧で...
(梶原洵子) 【走行EVを充電】 現在パワー半導体はシリコンや炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたエピタキシャルウエハ...
SiC基板は強度が高く電力ロスも小さいため、電気自動車(EV)や産業機器に使うパワー半導体の材料として注目される。... 具体的には基板を製造する際、SiCの結晶を成長させて塊とするが...
関西学院大学理工学部の金子忠昭教授らは豊田通商と共同で、次世代パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)基板で欠陥を無効化する「Dynamic AGE―ing(ダイナミック...
後工程の増強、ドイツでのSiC基板増産も推進。... 写真は20年12月に撮影したものを使用 【記者の目/シェア3割へ対応着々】 ロームはEVや産業機器な...
汎用的で塑性変形しにくいチョクラルスキーシリコン基板を下地にし、独自の成膜技術で炭化ケイ素(SiC)薄膜とGaNの厚膜を形成させる(写真)。高周波性能に優れ、従来の半絶...
NTTは東京工業大学の小山二三夫教授と共同で、高い熱伝導率を持つ炭化ケイ素(SiC)基板上にインジウムリン系化合物半導体を形成した薄膜構造のレーザー(メンブレンレーザー)...
現在は住友電工デバイス・イノベーションの本社工場(横浜市栄区)で炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたものを、同山梨事業所(山梨県昭和町)で...
エア・ウォーターは14日、独自の炭化ケイ素(SiC)基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜した次世代パワートランジスタ用基板を開発したと発表した。... 12年に独自の成膜...
パワーデバイス材料であるシリコンカーバイド(SiC)の基板上に2枚のグラフェン層を作ると、2枚のグラフェン層と基板との間にバッファー層と呼ばれるグラフェンによく似た炭素層が1枚できる。...
課題だった最大温度を従来のシリコン基板品と比べて約6分の1に抑えた。... 開発品はトランジスタを並列に8セル組み合わせた構造で、GaN―HEMT層の下の放熱基板に熱伝導率の高い単結晶ダイヤモンドを採...
また17年10月には、パワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)基板を低コストで生産する技術を持つサイコックス(東京都港区)の株式を取得。同技術の量産検証を進めており、電気自...
従来のSiC基板と比べて2分の1の低コスト化を目指し、今後3年程度かけて量産検証を進める。量産開始後は加賀電子や住友鉱の販路を活用し、電気自動車(EV)などの車載用途向けを中心に低価格...
SiC基板に絶縁膜を積む際、前処理を施した上で、無害で取り扱いが容易な窒素ガスを使って熱処理した。... より高性能な素子を安全かつ安価に製造する、次世代SiCパワー半導体の新手法になる可能性がある。...
近年、高温で動作する炭化ケイ素(SiC)基板の次世代パワー半導体が自動車などで採用される見通しが高まっているが、一方でPPは耐熱性などに課題があり、対応できない恐れがある。... ただ...
【名古屋】エルシード(名古屋市天白区、ヨハン・ピーター・エックマン社長、052・838・6624)は、次世代半導体材料である炭化ケイ素(SiC)基板用に超高速スライス技...
エア・ウォーターは炭化ケイ素(SiC)基板の用途提案を拡大する。... エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(...
