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4月に技術提携し2010年の実用化を目指し、DRAMの回路線幅を40ナノメートル(ナノは10億分の1)台まで微細化するプロセス技術を共同開発する計画だったが、今後おのおのが単独開発する...

その際、生産能力の拡大ではなく回路微細化への投資が主になる。DRAMは回路線幅70ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスでは採算に合わない。... 熱処理成膜装置や化学気相成長&#...

パナソニックはチップ上の回路を微細化した先端・次世代半導体、三洋電機は音などを処理するアナログ半導体に強みを持つ。... パナソニックは07年夏に回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1&...

ニューフレアテクノロジー(横浜市港北区、045・471・1982)はオランダのASMLの子会社、米ブライオンテクノロジーズ(カリフォルニア州)と、回路線幅32ナノメート...

市況低迷時こそ、回路微細化に絡む投資を断行して、より一層の製造コスト削減につなげていく。... だが、回路微細化への投資で製造コストを削減する戦略をとる。 回路線幅65ナノメートル(ナ...

回路線幅45ナノメートル世代以降の半導体の量産向けに12月から受注を始める。

ルネサスでは既に回路線幅130ナノメートルプロセスを採用したMRAMのサンプル出荷を開始。... 回路線幅90ナノメートルプロセスを採用しマイコンへの混載メモリーに応用、09年中に市場投入する。...

東芝は28日、チップ上の回路線幅に43ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリー16品種を製品化したと発表した。

欧州研究開発共同体(コンソーシアム)のIMECは、「極端紫外線(EUV)露光装置」による回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体の量産...

チップ上の回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代半導体製造向けとしては「開発計画が進んでいない」(ASML)という。... 半導体集積回路は現在、回路...

【京都】大日本スクリーン製造は回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)台プロセス以降の次世代半導体製造の洗浄工程向けエッチング技術を開発した。... 回路微細化でチップ面積が縮小...

回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用する。

だが、半導体メーカーは回路を微細化した先端・次世代半導体には戦略的に投資するため、露光装置メーカーも増強を断行しArF液浸露光装置の増産対応を整える。 ... このうち、チップ上の回路線40ナ...

富士通マイクロは、自社単独で開発した回路線幅45ナノメートルプロセス品のサンプル出荷を始めたばかり。... 半導体メーカー各社は07年から08年にかけて、回路線幅45ナノメートルプロセス技術を採用した...

回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端プロセスを採用し、今後、同45ナノメートルプロセスも採用していく。

新たに採用するのは、D2Sが開発した回路パターンセット「デザイン・フォー・イー・ビーム(DFEB)テクノロジ」。設計とソフトウェアの手法で電子ビーム描画の処理能力を向上させる技術で、回...

パナソニックとルネサステクノロジは9日、共同開発を進めていた回路線幅32ナノメートルプロセスを採用した次世代半導体の量産化にめどをつけたと発表した。... 回路線幅30ナノメートル台の次世代プロセス開...

チップ上の回路線幅には90ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を採用。

エルピーダメモリは回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した先端DRAMの縮小版を開発したと6日発表した。

ただ、半導体フォトマスク事業では、回路線幅90ナノメートル(ナノは10億分の1)以降、先端製品は大日印と関係の強いメーカーに食い込めていないというのが業界の見方で利益面では不利なようだ...

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