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記事検索結果
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以前は電荷結合素子(CCD)カメラを使っていましたが、07年発売では相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラに切り替え、機能を落とさず低価格化を実現した。
日本エレクトロセンサリデバイス(大阪市西区、力身(りきみ)総一郎社長、06・6534・5300)は、独自開発のエリア相補型金属酸化膜半導体(CMOS)セ...
65ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作した回路では、処理量が増えた時に低下する電源電圧の値が約40%改善した。&...
東芝やソニーなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS...
開発技術は、LSI内の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を構成するn型、p型のトランジスタとメモリー用トランジスタのゲート電極に共通の新金属材料を使う。
カシオ計算機 手のひらになじむ曲線形状で持ちやすく、操作しやすいハンディターミナルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージャー搭載モデル「DT―X7 M52S」を9...
東芝は19日、45ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジックに適用する、新しい設計モデルを開発したと発表した。
NECエレクトロニクスは先端LSIの40ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス向けに、トランジスタ特性のバラつきを低減する技術を開...
デジタルカメラの代表的な撮像素子(イメージセンサー)である電荷結合素子(CCD)と相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを中心にカメラ技術について、...
ソニーは11日、シリコン基板の裏側から光を照射する構造にした相補型金属酸化膜撮像素子(CMOSイメージセンサー)を試作したと発表した。... 開発した裏面照射型のCMOSイメージセンサ...
バイポーラや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)などの特徴を一つに集約したBCDプロセス技術を最大で32個同時測定できる。
東芝の西田厚聰社長は8日に開いた経営方針説明会で、NAND型フラッシュメモリーの回路に43ナノメートル(ナノは10億分の1)台の先端プロセスを採用し、同品の比率を早期に高める方針を明ら...
東芝やNECエレクトロニクスなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、相補型金属酸化膜半導体&...
