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東芝、ドライバーICワンチップ化 次世代パワー半導体制御 (2021/11/1 電機・電子部品・情報・通信)

東芝は、次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を制御するドライバーICのワンチップ化に世界で初めて成功した。... 脱炭素社会の実現を支える次世代パワー半導体の性能をより引き出す新技...

EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...

企業研究/ローム(2)新中計で車載・海外ターゲット (2021/9/28 電機・電子部品・情報・通信1)

ロームが今春公表した2026年3月期までの5カ年中期経営計画では、パワー・アナログ半導体で車載と海外を中心に大きく伸ばすことを全社方針として掲げた。... 炭化ケイ素&#...

ローム、MOSFET12製品 オン抵抗61%低減 (2021/7/1 電機・電子部品・情報・通信1)

ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...

産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの岡本光央主任研究員と原田信介研究チーム長らの研究グループは、炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の縦型金属酸化膜半導体電界効果ト...

Nチャネル型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを採用し、高速動作回路を新たに設計して小型化・効率化した。

金沢大学ナノマテリアル研究所の徳田規夫教授、松本翼准教授、張旭芳特任助教らの研究グループは、単結晶シリコン上にダイヤモンド製トランジスタを作製し、動作を実証した。... 徳田教授らはこれまでに、単結晶...

ローム、MOSFETのオン抵抗半減 ゲートトレンチ微細化 (2020/12/17 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...

東芝は2019―23年度の5年間でモーター制御などに使うパワー半導体の増産に約1000億円を投じる。... 東芝は製造子会社の加賀東芝エレクトロニクス(石川県能美市)中心にパワー半導体...

ローム、1mm角MOSFET開発 自動光学検査対応 (2020/9/29 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは1ミリメートル角サイズの超小型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... ロームでは、車載ECU1個当たりでMOSFETを含む半導体や積層セ...

ローム、VCSELモジュールを30%高出力 来春製品化 (2020/9/1 電機・電子部品・情報・通信)

光源のVCSEL素子と、光源を駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)素子を1パッケージにモジュール化(写真)。

半導体産業 (2020/8/3 特集・広告)

ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...

ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。

ローム、低オン抵抗のパワー半導体 車載駆動装置向け (2020/6/17 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...

FLOSFIA、MOSFET試作 素子性能、SiC製の2倍超 (2020/1/16 電機・電子部品・情報・通信2)

【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...

オムロン、MOSFETリレーモジュール発売 漏れ電流1ピコアンペア以下 (2019/12/5 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。...

三菱電、SiC製MOSFET開発 素子抵抗率半減 (2019/10/8 電機・電子部品・情報・通信2)

三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...

ローム、4端子SiCトランジスタ スイッチング損失35%減 (2019/8/29 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

東芝デバイス&ストレージ、ITバーチャル展に出展 (2019/8/28 電機・電子部品・情報・通信2)

次世代自動車を支える技術、ハードディスク駆動装置(HDD)の大容量化技術、低コスト・低騒音・高効率のモーター駆動技術、フォトリレー技術、最新低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体...

ローム、車載カメラの小型化後押し 新型トランジスタ開発 (2019/7/23 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは車載カメラの小型化を後押しする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。

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