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記事検索結果
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基板にシリコン(Si)を使う既存技術の進化は限界に近く、今後は、基板に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使って性能を高める新技術が競争力を左...
従来はヒーターの材料にモリブデンを使っていたが、省電力対応などで利点が大きいSiC(炭化ケイ素)を採用した。... 小型電気炉はSiCを用いたヒーターの開発により、従来製品に比べて約1...
今後普及が予想される炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールではより高温環境で安定動作が求められるため、窒化ケイ素製基板の採用機運が高まる可能性がある。
今後普及が予想される炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールではより高温環境で安定動作が求められるため、窒化ケイ素製基板の採用機運が高まる可能性がある。
新日本無線はSiC製パワーデバイスを搭載した高級オーディオを2015年に発売する計画。 SiCは次世代半導体材料。... 車載用以外の産業用SiC製パワーデバイスの開発は今回が初めて...
この事業を通してホットプレスによる拡散溶融接合法を用い、炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体などに使われるセラミックス冷却基板の量産技術を確立。... 02年にFJコンポジットを設立し、...
現在のパワーデバイス材料はSi(シリコン)だが、より電力損失の少ないSiC(シリコンカーバイド)に代われば「高温動作対応の接合材料が必要になる」(垣内宏之電子材...
大学と連携して炭化ケイ素(SiC)を使った新しいパワー半導体の研究開発に力を注いでおり、「電源機器業界を革新的にリードできる製品をつくること」を目標に掲げる。
東レ・ダウコーニング 150ミリメートル(6インチ)のSiC(炭化ケイ素)ウエハー製品を三つのプライム・グレードに分けて発売した。性能とコストのバランスがとれた...
東京メトロは24日、銀座線1000系の新造車両に永久磁石式同期型モーター(PMSM)と、炭化ケイ素(SiC)を用いたインバーターを組み合わせた主回路システムを世界で初め...
昭和電工は22日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーで直径6インチ(150ミリメートル)の月産能力を従来比2・75倍の1100枚に増強し...
東レは17日、SiC(シリコンカーバイド)トランジスタ向けに感光性耐熱レジストを開発したと発表した。... 同社は2013年、SiCダイオードについての実証に成功している。今回の開発に...
17年度までに信州大学などを中心に次世代SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスのための放熱絶縁材、難燃複合材、光プローブ電流センサー、非接触電力電送の効率化技術などを開発する。... 従来...
▽エスエヌジー(京都市西京区)「粒状シリカモノリス技術を応用した高性能金属触媒捕集剤の製品化実現」▽京都ニュートロニクス(京都市下京区)「SiCパワーモジュールを用いた...
「価格競争力の高い炭化ケイ素(SiC)ウエハーを安定供給するために全力を尽くしたい」と意気込むのはサイコックス(東京都千代田区)取締役技術部長の小林元樹さん。 ...
▽筑水キャニコム(福岡県うきは市)=爪付車輪、バランスウエートまたはダブルワイヤドラムによる姿勢制御機構、障害物センサーを有する四輪操舵(そうだ)駆動斜面専用草...
