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記事検索結果
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東芝からの工場の買い戻しを含め、長崎の拠点に2011年度に約1000億円を投じ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産を増強する。
【京都】ロームは21日、世界で初めて炭化ケイ素(SiC)製DMOSFET(二重拡散金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を量産、12月から出荷を始めたと発表した。
シリコン基板上に量子ドットレーザーを貼り付けたシリコン光源を3年間で開発し、将来、現行の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで量産してLSIチップに集積化する。
従来は外付けが主流だったパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、従来はディスクリート部品で構成していたサーマルシャットダウン、過電流保護、低電圧誤作動防止、デット...
東京大学大学院工学系研究科の鳥海明教授らは、15ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に使う新しい材料として、化合物半導体のゲル...
シリコン基板上に高誘電体材料であるハフニウム酸化物の結晶膜を合成した絶縁膜で、低消費電力のLSIを作れるようになる。 ... 結晶成長を精密にコントロールする熱処理プロセスを取り入れ...
シリコンを120度C以下で酸化させ、電気特性の優れた二酸化シリコン膜を形成できるのが特徴。... 硝酸が分解し、強い酸化力のある解離酸素イオンがシリコンと反応して、120度C以下で二酸化シリコン膜が形...
ルネサスエレクトロニクスは28ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のシステムLSI開発に向け、標準の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジック回路と親和性の高い混...
3・2メガバイトの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラに対応でき、一般的に使われる1・2メガバイトのカメラと比べ、高精細な撮影が行える。
東京大学と産業技術総合研究所などは6日、22ナノメートル世代(ナノは10億分の1)のLSI開発に向け、従来のシリコンの限界を超える相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トラ...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積シリコン・ナノフォトニクスと呼ばれる新技術で、10年間にわたって研究してきた成果。
【仙台】フォトニックラティス(仙台市青葉区、川上彰二郎社長、022・726・2076)は半導体ウエハーなどの膜圧分布を測定する高速マッピングエリプソメーター「ME―210」を12月に発...
【精密に制御・評価】 電子デバイスにおける最も基本的なナノ構造は薄膜・多層膜構造であり、膜の組成、膜厚、界面などが精密に制御・評価されていなければならない。... これらの手法では、...
同社では保護回路の中でも小型化のキーパーツで、充放電保護回路のスイッチ用途として使われるMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)の小型薄型化をこれまでも進めてきた。... ...
窪田博士は切りくずの残留なしに複雑な網目模様に切断加工する方法や、酸性液に一定時間漬けてバリや酸化膜を取り除く表面処理法を苦心して確立。... 同社はダイヤモンドライクカーボン膜でステントをコーティン...
