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記事検索結果
98件中、4ページ目 61〜80件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
産業技術総合研究所は2017年以降に実用化が見込まれる14ナノメートル世代立体型トランジスタ(フィンFET)の実現に向け、素子の特性がバラつく主要因を解明した。... 産総研の松川貴シ...
数百ナノメートル幅の抵抗変化不揮発性メモリーや、グラフェン電界効果トランジスタ(FET)などの光電子分光測定も可能という。
基板に対して立ち上がったシリコンチャネルが特徴で、その形状が魚のヒレに似ていることからフィン(ヒレ)型FETと呼ばれている。今年9月には、インテルが高性能の超小型演算処理装置(...
従来のシリコンの金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)に比べ、トランジスタの性能を決める電子移動度を向上。
実用化したチップは電界効果トランジスタ(FET)に溶液中の水素イオンを検知するセンサーと、検知した水素イオンと比較するための基準電位を計測する部分を集積。
プログラムを自由に書き換えられる先端的な半導体(FPGA)をはじめ、電界効果トランジスタ(FET)やプロセッサー、SRAM(記憶保持動作が不要な随時書き込み読み...
鳥海教授らは、トランジスタのスイッチング性能を決める移動度が世界最高の、ゲルマニウムを使った絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(FET)を開発した。絶縁膜との界面の特性を高め、トランジス...
スタンフォード大のセンサーは、シリコーン樹脂のポリジメチルシロキサン(PDMS)と有機電界効果トランジスタ(FET)を組み合わせた。... UCバークレーではゲルマニウ...
微細なシリコンワイヤに電界効果トランジスタ(FET)を組み込み、細胞に差し込む部分をヘアピンのような逆V字型にしてある。... 「ナノFET」と呼ばれ、幅は現在の細胞測定に使われている...
この技術でシリコン基板上にIII―V―OIを作り、基板上にn型金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を作製し、シリコンnMOSFET比約5倍の電子移動...
フィンFETの特性がバラつく主な原因には、チャネルの不純物やフィンチャネルの厚み、金属ゲート電極材料の物性などがある。今回、使う材料と作製プロセスを改善し、バラつきを最小に抑える22ナノメートル世代の...
同アンプは真空管に近い特性の電界効果トランジスタ(FET)素子を用いた独自の電気増幅回路を持つフォノ用イコライザーアンプ。従来アンプの回路はトランジスタとFET素子に別々の電圧がかかる...
▽真岡製作所(栃木県真岡市)=環境に優しい薄肉化耐熱鋳鋼鋳造装置の開発▽信濃製作所(埼玉県ふじみ野市)=航空機用炭素繊維強化プラスチック(CFR...
米IBMトーマス・J・ワトソン研究所は、炭素原子がシート状に並んだナノ素材のグラフェンを使って電界効果トランジスタ(FET)を作製し、これまでのシリコンベースのFETより高速に動作する...
