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記事検索結果
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作成したサンプルは一辺の回路線幅が40ナノメートル(ナノは10億分の1)で、1200平方センチメートルの電子移動度が得られることが分かった。従来は電子ビーム照射で微細な回路を形成してい...
三菱電機は25日、14ギガヘルツ帯で100ワットの出力が得られる窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器を開発したと発表した。
香川大学の舟橋正浩教授らの研究グループは、従来の約1000倍の電子移動度を持つ有機半導体を開発した。... 室温で液晶性を示すことが特徴で、非晶質の半導体よりも分子がきれいに並んでいるため電子が移動し...
省電力化や高機能化が求められる半導体・電子機器などの開発で、素材が重要な鍵を握っている。... SiCウエハーは、粉末状のSiC原料を2500度Cという環境で種結晶上に再結晶化させる昇華再結晶法が現在...
ゲルマニウムはシリコンよりも高い電子移動度を持つため、メタルソース/ドレイン技術と組み合わせることで、シリコンCMOSを上回る性能を持つゲルマニウムCMOSが開発できると期待されている。
現在のシリコントランジスタの性能向上の限界である電子移動度(電界強度と電子・正孔の走行速度比)が2倍の壁を突破し、4・2倍に向上した。... 従来のシリコンの金属酸化膜半導体(...
三菱電機は衛星搭載用の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った増幅器を開発した。... 移動体通信の基地局用増幅器にも応用を狙う。
化合物半導体である窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、6ギガ―18ギガヘルツの全帯域で動作できる増幅器の送受信モジュールを開発した。
また酸化物の界面での電子移動度で世界最高値を更新した。 ... 分数量子ホール効果は界面にある電子に対して強い磁場をかけると電子間の相互作用によって起こる現象で、欠陥や不純物が少ない界面でしか...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った世界最高出力の送信用増幅器で、既存のガリウムヒ素製のHEMTを使った増幅器に比べて、出力を16倍に高めた。
高温に加熱する熱酸化膜を使った従来のたて型トランジスタに比べ、演算速度に関係する電子の移動しやすさを30%高めた。... 電子の供給源となるソース電極と電子が流れ込むドレイン電極の間で、ゲート...
高精細度(HD)テレビ画像を圧縮せずに、6チャンネルの多重伝送で遅延なく高品質画像を送れるようになる。... 新構造のインジウム・リン製の高電子移動度トランジスタ(HEMT&#...
この技術でシリコン基板上にIII―V―OIを作り、基板上にn型金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を作製し、シリコンnMOSFET比約5倍の電子移動...
GaAsはシリコンより電子移動度が高く、高速動作、低消費電力の半導体素子ができる半面、高品質の大型ウエハーを製造したり、チップをガラスや樹脂基板に融合するコストが高い。そこで研究チームでは一度にGaA...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、C帯―Ku帯(6ギガ―18ギガヘルツ)で動作する高出力増幅器を開発した。
三菱電機は衛星搭載用のC帯窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)高出力増幅器(写真)を開発し、世界で初めてサンプル出荷した。... ...
超格子は電子を閉じ込める薄い膜と、電子がトンネル現象で通り抜ける障壁膜とを交互に重ねた構造を持つ。... 80年に富士通はこの原理を素子に応用、高電子移動度トランジスタ(HEMT)を発...
