- トップ
- 検索結果
記事検索結果
317件中、5ページ目 81〜100件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.005秒)
【移動度3倍】 最近我々は、トランジスタのゲート絶縁体としてこれまで主に使われてきたアルミナなどの金属酸化物の代わりに、六方晶窒化ホウ素(h―BN)という材料を使うこ...
ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。
【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
バイオマーカーの検出、呼気の分析などに用いる化学センサーとしてイオン感応性電界効果トランジスタ、触媒燃焼型ガスセンサーなどがすでに実用化されているが、使用の都度調整を必要とし、センサー表面の清浄・活性...
【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...
【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。
三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...
次世代自動車を支える技術、ハードディスク駆動装置(HDD)の大容量化技術、低コスト・低騒音・高効率のモーター駆動技術、フォトリレー技術、最新低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体...
【京都】ロームは車載カメラの小型化を後押しする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
【京都】ロームは23日、パナソニックからトランジスタやダイオードなどの小信号半導体事業を買収すると発表した。... パナソニックは当面、ロームから受託する形でダイオードやトランジスタの生産を続ける。....
【京都】ロームは、高速スイッチング時のノイズ抑制と効率性を向上させた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... インバーター搭載の省エネエアコンで軽負荷時の...
【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...
米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。
米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
東芝デバイス&ストレージは650V耐圧スーパージャンクション構造のパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「DTMOS VI(ディーテ...
そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...
