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記事検索結果
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当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて量産化した。... 一方でMOSFETとしては、電磁誘導加熱(IH)やパル...
「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。
新電元工業は従来品比で約1・8倍の大電流を流せる車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し2018年春から量産を始める。MOSFET内部の接続部品に銅製の薄板を...
高耐圧チップの開発、パッケージ技術、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の駆動、変換器のモーター制御など、各部門が持つ専門技術を“通訳”するような役割だった」 ...
従来構造のSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と比べても、電力損失を最大5割程度低減できる。
【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を全てSiCで構成する。
車載用ECU内のリレーを駆動するICで高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を内蔵した。
ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に加え、IGBTや微小電気機械システム(MEMS)の生産も開始する」 &#...
共同チームは高品質な2インチのGaNウエハーとMOSFETを作製した。... 富士電機などはMOSFETを作製。... GaNのMOSFETでこれらの特性を両立したのは初めて。
電源設備や高電圧パルス発生器にSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、加速器中性子源の小型化を実現。
ローム 車載向けで業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3」を開発、量産を始めた。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。... これまでIGBTやパワーMOSFETの製...
【京都】ロームは車載向けとしては業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3=写真」を開発、量産を始めた。
小・中容量のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)やMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をマイコンから直接駆動できる。
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、デンソーなどと共同で、ダイヤモンド半導体を使った、反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
GaNで耐圧1・2キロボルト級の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップを作製した。... これまではGaN製MOSFETの素子で動作を実証していた。 ...
高耐圧のシリコンMOSFETの使用が一般的だが、SiC―MOSFETに代替することにより、オン抵抗を8分の1の1・15オームまで低減できる。 MOSFETの駆動には、外付けの制御IC...
富士電機は29日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で、省エネ性能を高めた新製品2種類を発売したと発表した。
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
