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需要を読む(9)三菱電機上席常務執行役・山西健一郎氏（2008/10/6）

「ガソリンと電気を駆動源に併用するハイブリッド車向けに高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が伸びそうだ。

三菱電機、2010年度からSiCパワーモジュール量産（2008/9/17）

近くサンプル出荷する予定で、金属酸化膜電解トランジスタ(MOSFET)に駆動回路などを組み合わせ、インバーターなどを製品化する。... (9面に関連記事) 試作...

富士電機デバイステクノ、IGBTに大電流対応品を追加（2008/9/1）

富士電機デバイステクノロジーは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「U4シリーズ」に「ハイパワーモジュール」を追加した。

電機復権(3)毒りんごは食べない（2008/7/24）

三菱製品は試作とはいえ、一般的なインバーターに使うシリコンIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と比べ電力損失が半分という数字をたたき出した。

英・ウェールズ政府、外国の車産業の投資・誘致に力（2008/6/10）

とくに、ハイブリッド車のモーター制御に使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)では、日本を含め、複数企業と共同研究を行っている。

産業用途で高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を欧州で、スイッチ機能を持つ金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を東南アジアで拡販する。

NECエレ、フォトカプラーの内部構造見直し（2008/4/8）

NECエレクトロニクスは、入出力信号を電気的に絶縁するフォトカプラーのチップ寸法を従来比で2分の1に縮小した。金属端子からパッケージを伝った長さを表す沿面距離を8ミリメートルに保ちながら、パッケージ内...

サンケン電気は17日、プラズマテレビのパネル駆動回路用に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール「MGQ612」を25日からサンプル出荷すると発表した。

富士電機デバイステクノロジーは電力用半導体(パワーデバイス)、中でも高耐圧が特徴の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に強みを持つ。... だが、金属酸化膜電界...