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記事検索結果
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同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。... フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード&...
過充電・過放電など基本的な監視機能だけでなく、温度検出機能、充放電用電界効果トランジスタ(FET)の過熱防止機能、放電用FETの強制遮断機能などもLSI内部に組み込んだ。
車載用ECU内のリレーを駆動するICで高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を内蔵した。
ちなみに、FinFETとはフィン(ひれ)状の薄いシリコンを持った3次元構造の電界効果トランジスタ(FET)のこと。トランジスタのリーク電流を抑えながら、高速動作と省電力...
研究チームは、積層型3次元型NANDフラッシュメモリーにおける独自の製造技術を活用し、強誘電体を使った電界効果トランジスタ(Fe―FET)を縦方向に接続する構造を新たに提案した。...
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。 ただGaN基板上にGaNの金属酸化...
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門は、シリコントンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を使った新しい集積回路を開発し、動作速度が2倍に向上することを確認した。... ...
電源設備や高電圧パルス発生器にSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、加速器中性子源の小型化を実現。
ローム 車載向けで業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3」を開発、量産を始めた。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。
超省電力のトランジスタの開発につながり、待機電力がゼロのコンピューターの実現に貢献する。... TMR素子は、メモリー機能を持つ縦型のスピン電界効果トランジスタ(縦型スピンFET)の基...
【京都】ロームは車載向けとしては業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3=写真」を開発、量産を始めた。
小・中容量のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)やMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をマイコンから直接駆動できる。
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、デンソーなどと共同で、ダイヤモンド半導体を使った、反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
これにより1・5ミリメートル角のサイズで、基板に対して垂直に電流を流す縦型GaNトランジスタで20アンぺア超の電流動作を実証した。 GaNで耐圧1・2キロボルト級の金属酸化膜半導体電...
ロームは産業機器の補機電源向けに適した1700ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「SCT2H12NZ=写真」を...
富士電機は29日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で、省エネ性能を高めた新製品2種類を発売したと発表した。
渡辺教授は3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を使って、縦型の強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を縦方向に直列接続する積層構造の論理回路を提案した。... ...
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
