【電子版】サムスン、世界初の１０ナノプロセッサー発表ー「ギャラクシー８」に搭載へ

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  サムスン電子の「Exynos 9シリーズ」（同社の発表資料から）

韓国のサムスン電子は２３日、３次元構造のFｉｎＦＥＴ（フィンフェット）で世界初の１０ナノメートル（ナノは１０億分の１）プロセス技術を採用したマイクロプロセッサーを開発したと発表した。「エクシノス（Ｅｘｙｎｏｓ）９シリーズ８８９５」で、１４ナノメートルプロセスの現行チップに比べ４０％省電力化し、処理速度は２７％向上したという。すでに量産に入っており、４月に発表予定の次期スマートフォン「ギャラクシーS８」に搭載されるとみられる。

ちなみに、FｉｎＦＥＴとはフィン（ひれ）状の薄いシリコンを持った３次元構造の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のこと。トランジスタのリーク電流を抑えながら、高速動作と省電力性能を高められる特徴がある。

エクシノス８８９５は８コア構成で、処理速度と省電力性能を向上させた自社開発の第２世代カスタムＣＰＵコアと、英ＡＲＭの６４ビットＣＰＵコア「Ｃｏｒｔｅｘ－Ａ５３」を４個ずつ搭載。また、新型プロセッサーには、同社として初めてギガビットＬＴＥモデムの機能も組み込み、下りで最高毎秒１ギガビット、上りで最大同１５０メガビットの通信速度を持たせた。

さらに、フルハイビジョンの４倍の４Kの解像度で最大毎秒１２０フレームの録画・再生にも対応。４Kの解像度で高品質なVR（仮想現実）アプリケーションが体験できるという。用途としては、スマートフォンのほか、VRヘッドセット、自動車のインフォテインメントシステムなどを見込んでいる。１月には独アウディがサムスンのエクシノスを次世代インフォテインメントシステムに採用すると発表した。

一方で、サムスンのギャラクシー８のライバルとなる米アップルの「ｉＰｈｏｎｅ（アイフォーン）８」は今年９月の発表が予想されている。その次期アイフォーンに搭載する１０ナノプロセスＦｉｎＦＥＴの「Ａ１１」プロセッサーをめぐっては、台湾のＴＳＭＣが早ければ３月にもアップル向けに量産出荷を開始すると報道されている。