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インテルは回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)の製造プロセスで目標期限を達成できなかったことに続き、2020年は最新の7ナノ技術でも遅れが生じるなど問題が顕在化している。
ただ、装置市場の投資をけん引するのは、回路線幅5ナノ、7ナノ、10ナノメートル(ナノは10億分の1)のIoTや5G向け先端半導体。
だが、水平分業型のメーカーが現れ他国との競合が深まる中、回路線幅の微細化、半導体基板のウエハの大口径化などが急速に進み、半導体製造装置の投資額が大きく膨らんだ。
■微細化追求 見極め重要 半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。... 現在最先端の...
半導体の回路線幅を細くする『微細化』などの技術革新が進めば、それだけ研究開発投資は増える。
最先端の半導体製造では、回路線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)と微細だが、センサー向けなど微細化がそれほど求められない半導体では「世代の古い洗浄装置でも安価なものが欲しいという話...
ロジックチップで回路線幅の微細化も図り、2分の1型で1280×720のHD解像度を実現した。
その電子回路は微細化し、線幅は感染症の原因となるウイルスの大きさを下回る。... EUV露光は2018年に実用化された回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス、その先の5ナ...
TRIPLE―1(トリプルワン、福岡市博多区、山口拓也社長、0570・031・119)は、回路線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)のディープラーニング(深層...
直径200ミリメートルサイズの同クラスのi線露光装置は1995年に発売した装置以降、開発を止めていた。... EUV露光技術は7ナノおよび5ナノメートル世代の半導体デバイスの量産で活用されているが、「...
EUV露光は最先端の回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス、その先の5ナノメートルプロセスに対応する半導体加工技術。
計測精度のほか、ウエハー上に形成された半導体の微細な回路パターンの寸法を計測するスピードを速めた。電子線スキャンシステムやウエハー搬送システムの機能を向上し、1時間当たりの処理枚数を同20%増...
EUV露光は最先端の回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス、その先の5ナノメートルプロセスに対応する半導体加工技術。
日本ゼオンは解像度を高めたポジ型電子線レジスト「ZEP530A」を発売した。... 薄膜化し、回路線幅(ハーフピッチ)17ナノメートル(ナノは10億分の1)の配線間隔&...
すでに輸出手続きを厳格化した高純度のフッ化水素とレジストは、回路線幅5ナノ―7ナノメートル(ナノは10億分の1)の最先端半導体の製造に不可欠な材料だ。
半導体の回路パターンを転写する工程に使うレジストは数種類あり、今回の対象は極端紫外線(EUV)光源と電子線(EB)露光に対応したもの。EUV露光は10ナノメートル...
例えば今回対象となるレジストは、極端紫外線(EUV)光源や電子線(EB)を露光手段に用いた製造工程向けの製品。EUVはナノメートル(ナノは10億分の1)...
