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記事検索結果
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【研究開発助成/一般研究開発助成(塑性加工)】▽太田高裕/広島工業大学工学部機械システム工学科「ショットピーニングによる応力再配分を利用した曲げ加工のスプリングバッ...
インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)値はいずれも2・2マイクロヘンリー(マイクロは100万分の1)。
インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)値は、両製品ともに2・2マイクロヘンリー(マイクロは100万分の1)。
インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)値は0・24マイクロヘンリー―1・00マイクロヘンリー(マイクロは100万分の1)をそろえた。
優れた特性を持つケイ素―鉄合金の超薄箔化により、メガヘルツ(メガは100万)以上の周波数で動くパワーエレクトロニクス回路用の受動素子やインダクタンス素子の磁気コア材料として使えるように...
小型化により、インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)も同30%減り、高速のスイッチングにも対応した。
HDF SWトランスは、1次巻き線と2次巻き線の間に生じる磁気結合の調整により、共振用コイルと同様の特性が得られるインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)をトランスに持たせること...
三菱電機は13日、パッケージ内部でのインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)を従来比で約47%低減した「産業用フル炭化ケイ素(SiC)パワー半...
位置検出には金属ターゲット材を使ってインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)値を計測するセンサーを採用。
一方、IDセンサは、ターゲット(金属シリンダ)の移動量に応じたインダクタンスの変化をアブソリュート値として検出する仕組みだ。
加えてインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)の低減により、パワー半導体がスイッチ動作の際に発生するエネルギー損失を従来比約3割減らした。
高透磁率のナノ結晶磁性材料で、10キロヘルツ―100メガヘルツ(メガは100万)の広帯域で優れたインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)特性を持ち、広い温度範囲で安定した...
産業技術総合研究所の大川顕次郎研究員、金子晋久首席研究員らは、熱が局所的かつ過渡的に逆流する「熱インダクタンス現象」の原理を理論的に解明し、熱電材料を用いて実証した。... 熱インダクタンス現象は、低...
イットリウム・マンガン・スズ単結晶を用いて市販品の10万分の1の体積で同水準のインダクタンスを得られた。... 温度や磁場を変えると正負両方のインダクタンスを実現できた。... 従来はコイル断面積に比...
さらに回路に生じた不要なインダクタンス由来のノイズを打ち消す「負のインダクタンス」の発生の仕組みを特定。材料内の分子の並びや磁気の性質などで正負のインダクタンスを作り分けられることを示した。負のインダ...
【名古屋】新東工業は検査時のノイズ発生を左右するインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)を70ナノヘンリー(ナノは10億分の1)と従来機の約3分の1に抑えた車載パワー半導...
寄生インダクタンスを抑制する多層基板を開発し、サージ電圧を短時間に減衰させるスナバ回路を組み込んだ。
電極ルートを太く短くすることで、等価直列インダクタンス(ESL)やインピーダンス(交流回路における抵抗)を低減した。
サイズは最小タイプが長さ7・5ミリ×幅7・0ミリ×厚さ5・4ミリメートル、インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)値は47マイクロヘンリー(マイクロは100万...
