理化学研究所の武田健太上級研究員と野入亮人研究員、樽茶清悟グループディレクターらは、シリコン量子ビットを高精度に測る技術を開発した。... シリコン・シリコンゲルマニウム半導体基板上に電子を捕捉する量...

シリコンをシリコンゲルマニウムで挟んだ半導体基板に量子ドット構造を作製した。シリコン層に電子を1個単位で閉じ込め制御できる。... 今後、半導体材料に同位体調整シリコンを採用したり、操作を高速化するこ...

歪シリコンとシリコンゲルマニウムの基板上に量子ドットを作製した。... シリコン量子ドットが操作忠実度を達成したことで有力候補に並んだことになる。シリコン量子ドット系は半導体製造プロセスと相性がよく、...

大阪大学大学院基礎工学研究科の中村芳明教授と高知工科大学環境理工学群の藤田武志教授、東邦大学理学部の大江純一郎教授、九州シンクロトロン光研究センターの小林英一主任研究員らは、半導体のシリコンゲルマニウ...

アルミ合金などの表面処理技術を応用し、シリコンゲルマニウム(SiGe)やシリコンスズ(SiSn)の合金薄膜層を低コストに形成する技術を開発。

大阪大学大学院工学研究科の黒崎健准教授らと日立製作所は、熱を電気に変える熱電変換の性能が、室温で既存材料を上回る新材料「イッテルビウムシリコンゲルマニウム」を開発した。資源量が豊富で無毒のシリコンがベ...

現在はシリコンゲルマニウム製の回路を使ったレーダーが製品化されているが、より小型で高性能、かつ安価で低電力のCMOSを使ったレーダーの実現が期待されている。

これにより、直径10ナノメートル以下で高さが30ナノ―100ナノメートルのシリコンナノワイヤ(量子細線)を1平方センチメートル当たり10の11乗個、規則的に並べた、高密度のシリコンナノ...

スマートフォンやパソコンの中にあるトランジスタの基板には通常、シリコン(ケイ素、Si)が使われている。だがSiのみの基板は機器の高性能化において限界に達しており、Siとゲルマニウム&#...

一方、私たちは当時、シリコンゲルマニウム薄膜を用いたセンサーデバイスを開発していたので、薄膜熱電材料としてホウ素をドーピングしたシリコンゲルマニウム薄膜とシリコン薄膜とを用いて薄膜型熱電材料の熱電特性...

九州大学大学院システム情報学研究院の佐道泰造准教授らは、従来より約150度C低い250度Cの低温で、シリコンとゲルマニウムの結晶を成長させる技術を開発した。金薄膜とシリコンゲルマニウムの薄膜を積層後、...

既存のシリコンゲルマニウム製チップと同等以上の性能を確保し、消費電力は約半減できる。... 周波数変換回路の構成を工夫し、受信回路の発振器のノイズを抑制して、既存の特殊なシリコンゲルマニウム製のチップ...

インジウムガリウムヒ素製のn型半導体とシリコンゲルマニウム製のp型半導体で構成している。従来のLSIに使われているシリコンより低電圧で多くの電流を流せるため、LSIの低消費電力化につながる。... 産...

東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の竹中充准教授、高木信一教授と住友化学の共同研究チームは、圧縮歪(ひず)みを加えたシリコン・ゲルマニウム(SiGe)を用いて、消...

このほどマグネシウム・シリコン系金属を使い、高温側450度C、低温側20度Cで11―12ワット発電するモジュールの開発にめどをつけた。... さらに高温の排熱を利用するモジュールは、シリコン・ゲルマニ...

車両の衝突事故を防ぐ目的などで使う77ギガヘルツ帯の車載用レーダーは現在、化合物半導体やシリコンゲルマニウムなどの材料を使うのが主流。

そこで研究チームはパラジウムを主成分として、リン、シリコン、ゲルマニウムに銀を加え、組成を工夫した金属ガラスを作製。

三角柱形状のシリコン単結晶振動部と、シリコンゲルマニウム薄膜を利用した真空パッケージ技術で実現した。... 薄膜生成とエッチング技術の工程を繰り返し、シリコン単結晶振動部やポリシリコン電極などを作って...

産学官、早期実用化へ「システムが要」 シリコン基板上に光回路と電子回路を一体化する「シリコンフォトニクス技術」の応用研究が盛り上がっている。... NTTはシリコンフォトニクス研究の...

兵庫県立大学大学院工学研究科の松尾直人教授らの研究グループは、軟X線(用語参照)を照射してシリコンやゲルマニウムなどの半導体薄膜を従来よりも100―200度C低い温度で結晶化する手法を...