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高密度に蒸着可能な複合化合物膜の技術を高速蒸着技術に適用することで、一般的なスパッタ法に比べて成膜速度が100倍超に向上し、コストを5分の1以下に抑えた。... また、従来の蒸着技術は成膜速度に優れ低...

不二越、DLCコーティング装置 成膜速度最大150倍 (2021/11/1 機械・ロボット・航空機2)

不二越は従来機と比べ成膜速度を最大150倍に速めたダイヤモンドライクカーボン(DLC)コーティング装置「SMVP―1020」を1日に発売する。... アーク法やスパ...

従来の成膜技術に比べ安価な原料が使用可能で、成膜速度が非常に速いため90%程度コストを低減できると期待されているのがハイドライド気相成長法(HVPE)である。... 太陽電池を...

東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所の飯野裕明准教授、半那純一名誉教授らは、従来比2000倍以上の成膜スピードで有機トランジスタ向けの半導体を塗布成膜することに成功した。実用レベルの成膜速...

芝浦メカトロ、6層対応可能なスパッタリング装置 (2019/11/8 電機・電子部品・情報・通信1)

銅の成膜速度は1秒当たり12ナノメートル(ナノは10億分の1)。... スパッタ源を斜めに配置することでワーク縦方向の成膜効率を向上。縦150ミリメートルまで成膜できる。

材料へのダメージを減らす従来の成膜法に比べ、成膜速度を2・5倍に向上。... ただプラズマ密度が低い上、成膜速度は遅く、実用性に乏しかった。 京浜ラムテックは、この低ダメージ成膜の速...

同社のスパッタリング成膜源「ラムカソード」を使う。... 成膜技術の売り上げを2020年5月期に1―2億円を目指す。 ... スパッタ粒子による温度変化や酸化による材料のダメージを減...

不二越、DLC2方式装置開発 成膜速度1.5倍 (2018/7/31 機械・ロボット・航空機1)

成膜速度を従来比1・5倍にし、硬さや膜厚など品質を向上させるという。... DLC成膜の専用装置は同社では初めて。 ... 高密度のイオンビームを照射することでイオン化率を高め、成膜...

第30回「中小企業優秀新技術・新製品賞」(4)一般部門 奨励賞 (2018/4/11 中小企業優秀新技術・新製品賞2)

真空チャンバー内にセラミックス(アルミナ)粒子をノズルで噴霧する際、成膜対象物に直接噴霧するのではなく、ターゲット板に衝突させる。... 絶縁破壊電界強度20メガボルト/セン...

既存の膜上に再成膜して平滑度を高めた。... 成膜速度も1時間0・8マイクロメートル(マイクロは100万分の1)と実用性を確保でき、量産化がしやすいと判断した。 成膜...

成膜速度を従来比約10倍に高めた。... ナノテックは2012年にカーボン成膜用の「大電力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)技術」を確立し、16年には特許も成立してい...

【相模原】昭和真空は複雑な形状のレンズにも反射防止膜を均等に成膜できる光学薄膜形成装置「ジェネシス―AR」を開発し、7月に発売する。... 成膜速度は従来の真空蒸着法が1秒間に4―10オングストローム...

神鋼、CVD式で参入−DLC成膜、デンソーから技術 (2016/2/17 素材・ヘルスケア・環境)

神戸製鋼所はダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)膜の成膜速度を5倍以上に高めた成膜装置を投入した。... 成膜速度で1時間当たり5マイクロメートル(マイクロは100万分の1...

キヤノントッキ(新潟県見附市、津上晃寿会長兼CEO、0258・61・5050)は、膜均一性を従来の倍以上となるプラスマイナス2・1%に引き上げ、成膜速度を2倍に高められるスパッ...

成膜速度が1分当たり膜厚200ナノ―400ナノメートル(ナノは10億分の1)と、代表的な成膜技術であるスパッタリングの約20倍。常温で成膜でき、高温耐性のない部材にも適応できる。......

高出力のパルスを発振できる電源を搭載し、直流電源タイプに比べ約10倍の成膜速度を実現した。... ロール・ツー・ロール方式の成膜装置も用意し、長尺フィルムの成膜にも対応する。 ......

光学薄膜関連は、主として製造方法がPVD(物理的気相成膜法)と呼ばれる手法が多く、蒸着やスパッタリングといった真空の中で分子状にした物質を当てて成膜し、乾式と呼ばれる。成膜速度が遅く薄...

材料と成膜装置の工夫で低抵抗と高透過を両立させた。 ... 成膜装置は対向ターゲット式スパッタ装置を改良した。... 今後、毎分数十センチメートルの成膜速度の高速化や銀に代わる材料開...

三菱マテリアルは従来の4倍の速度で成膜が可能なチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)圧電膜用ゾルゲル液を開発した。同液による湿式プロセス(ゾルゲル法)の成膜速度を1時間当たり8...

省エネ性能を高めるため、イオン窒化処理の速度向上を実現した。... 加工物の損傷につながる恐れがある異常放電(アーク放電)を抑制できるため成膜速度が速まり、温度上昇の速度を上げられる。...

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