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産総研、次世代不揮発性メモリーの記憶性能を2倍に向上 （2016/1/11 科学技術・大学）
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。... 産総研スピントロニク...
