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記事検索結果
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三菱電機は電気自動車(EV)など、電動車(xEV)向けに炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップの...
GaNパワー半導体はスイッチング速度の速さが強み。... 同半導体はゲート端子に電圧を加えないとオフ状態にならない「ノーマリーオン型」の特性を持っている。 東芝デバイス&スト...
低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ素)...
【京都】ロームは同社の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を搭載したモジュールが、中国・浙江吉利控股集団(ジーリー)の電気自動車(EV)...
発売したのは低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ...
【京都】ロームは低オン抵抗の車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)10機種を発売した。
ロイック・ペコンドン・ラクロワ社長は、ABBがグローバルで企業連携により二酸化炭素削減を進めていくための非営利組織による活動「エナジー・エフェシィエンシー・ムーブメント」を紹介。... SiC金属酸化...
同じ電気回路に搭載する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を制御して、電力損失を抑制する。
三菱電機は10日、炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体モジュールの新製品2製品の販売を始めたと発表した。... 同社の...
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)二つを1セットにしたモジュールを開発した。
独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...
パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧は600ボルト。
三菱電機の半導体・デバイス第一事業部の楠真一事業部長は、SiCパワー半導体の強化について、こう説明する。 ... 半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジス...
物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... p型とn型がそろうこ...
三菱電機は23日、同社従来製品比で約60%小型化したパワー半導体モジュールの新製品6製品のサンプル提供を3月25日から始めると発表した。... 自動車市場で多くの採用実績が...
(半導体メーカー大手幹部)。 ... 中でも成長著しいのはSiC半導体だ。... 同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MO...
ロームと協業、投資効率向上 カーボンニュートラル(温室効果ガス排出量実質ゼロ)の追い風もあり、車載向けなどで東芝のパワー半導体事業は伸びしろが大きい。... 「我々は...
早稲田大学の川原田洋教授と早大発ベンチャーのパワーダイヤモンドシステムズ(PDS、東京都新宿区、藤嶌辰也社長)は13日、ダイヤモンド半導体で安全性の高いノーマリーオフ動作するトランジス...
三菱電機は13日、オランダの半導体企業であるネクスペリアと、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の共同開発に向け、戦略的パートナーシップに合意したと発表した。三菱電機は同社の強みである化合...
外付けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とICパッケージを組み合わせ、小型の理想ダイオードとして使う。... 逆流した場合に電流をオフする機能を打ち消す端子を設ける...
