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PDSはp型とn型を組み合わせた縦構造のダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発。
三菱電機は電気自動車(EV)など、電動車(xEV)向けに炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップの...
採用されたのはロームのSiC MOSFETとSiCショットキーバリアダイオード(SBD)で、コーセルの強制空冷タイプの電源ユニット「HFAシリーズ」と伝導放熱タイプの「HCAシ...
東芝デバイス&ストレージの従来製品はGaN電界効果トランジスタ(FET)とシリコン(Si)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を...
低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ素)...
発売したのは低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ...
【京都】ロームは低オン抵抗の車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)10機種を発売した。... ロームは低オン抵抗で低発熱の車載用MOSFETの需要が高まっているとし...
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は材料からインゴット、ウエハー、パッケージまで垂直統合を確立し、8インチウエハーの量産を実現して業界をリードする。
同じ電気回路に搭載する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を制御して、電力損失を抑制する。例えば交流115ボルトの場合、出力15ワットに対して従来のダイオード整流方式で...
三菱電機は10日、炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体モジュールの新製品2製品の販売を始めたと発表した。
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)二つを1セットにしたモジュールを開発した。 ... 7月以降、ヒートシンクを備え、SiC MOSFE...
独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...
パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧は600ボルト。
半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...
物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。従来p型はあったが、n型チャ...
シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。
同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を量産したが、実はその1年前の09年、SiCウエハーを手がける独サイクリスタルを買収している。
「我々は低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で世界上位のシェアだが、電動化や電装化の影響でMOSFET全体の需要が10年で1・6倍になるとされる。我々の半導体は...
ノーマリーオフ動作するダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。MOSFETのゲート電極など、ダイヤモンド表面を酸化ケイ素薄膜で絶縁する。... 横型...
