- トップ
- 検索結果
記事検索結果
125件中、1ページ目 1〜20件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
ロジック、NANDフラッシュメモリー、DRAMなどアプリケーションごとに特徴も出てきている。
DRAM、NANDフラッシュメモリーの高速テスト(試験)のスループット(処理能力)向上とテスト・コスト削減につなげる。 同装置は、NANDフラッシュか...
特に近年増加している3D NANDフラッシュメモリーは構造の多層化によってガス使用量が増え、半導体市場以上にガス市場は拡大している。
日本の半導体メーカーはNANDフラッシュメモリ、CMOSセンサーといった製品別に得意領域を持つ形に移り、旧世代の装置は売却している。
3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を用いたLSIで、積層化によってチップ面積を減らしたことでチップ内の配線が短くなり、遅延時間が短縮されて動作速度が向上した。... 下層から上層に向か...
SCMに求められる性能は、DRAM程度の高速性を有し、ランダムアクセスが可能、NANDフラッシュメモリーよりも高速かつ低コストで、十分に大容量なものが望まれる。
DRAM、NANDメモリーチップは、マイクロンと東芝製品を採用。... したがって全般的に、東芝のNANDフラッシュストレージや、マイクロンのDRAMが確認されたことはこうした方針と一致する」と分析し...
サムスンはDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)のビット成長率(記録容量ベースの成長率)を20%未満と予想し、NANDフラッシュは30&#...
UMCの3日の発表によれば、福州中級人民法院は特許侵害裁判でUMCの主張を聞き入れ、マイクロンにDRAMやNANDフラッシュメモリー関連など26の製品を対象に販売を差し止める仮命令を下した。
T5830ESは、フラッシュメモリーをコスト効率良く試験できる。一方、T5833ESは、DRAMや高速NANDフラッシュメモリーなど、あらゆる半導体メモリーのウエハー試験やパッケージ試験ができる。&#...
NANDフラッシュの場合、3DNANDの1ウエハー当たりのKrFレジストの使用量は2DNANDよりかなり増えるであろう。... 日本大手メーカーでは足元、NANDフラッシュのウエハー投入枚数の約14&...
研究チームは、積層型3次元型NANDフラッシュメモリーにおける独自の製造技術を活用し、強誘電体を使った電界効果トランジスタ(Fe―FET)を縦方向に接続する構造を新たに提案した。...
2017年は、高付加価値製品の販売拡大と10ナノ級DRAM(半導体メモリー)、64段V-NAND(フラッシュメモリー)の競争力強化を推進するとともに、OLEDを...
渡辺教授は3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を使って、縦型の強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を縦方向に直列接続する積層構造の論理回路を提案した。FeFE...
一方、NANDフラッシュへの過度な依存は経営リスクでもある。... 専用棟とする方針を固めたのは3D構造NANDフラッシュへの自信の現れだ。 ... 3D構造NANDフラッシュの量産...
東芝は米サンディスクと共同で、スマートフォンなどに搭載するNAND型フラッシュメモリーの新工場を三重県四日市市に建設する。... NANDフラッシュを巡っては今後、データの大容量化...
不適切会計問題を受け、画像センサーの売却など半導体の不採算事業をリストラし、主力のNAND型フラッシュメモリーに経営資源を集中させる。... 東芝の半導体部門はNANDフラッシュが利益の大半を稼ぎ出す...
東芝はサンディスクとNANDフラッシュの生産工場を合弁運営しており、開発でも協力。WDはサンディスク買収後も、東芝のNANDフラッシュにおける協業関係を維持する意向を示す。東芝も「自社のNANDフラッ...
