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日本触媒、耐熱２５０度Ｃのパワー半導体封止材
(2012/1/19 05:00)
日本触媒は１８日、２５０度Ｃの耐熱性を持つ炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体向け封止材を開発したと発表...
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(2012/1/19 05:00)
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