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ＳｉＣパワー半導体、電気抵抗３分の１に 三菱電・東大が原理解明
(2017/12/6 05:00)
三菱電機先端技術総合研究所と東京大学の喜多浩之准教授らは５日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体の電気抵抗を左右する三要素の影響度をそれぞれ求め、対策を施すことで...
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(2017/12/6 05:00)
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