パナソニックと東京精密、ウエハー切断幅５分の１に チップ個数４％増

パナソニックと東京精密は、シリコンウエハー１枚当たりの半導体チップの製造個数が最大４％増える半導体後工程用システムを２月に発売する。後工程のダイシング工程にレーザーとプラズマを用い、ウエハー上のチップの切断幅を従来手法の約５分の１に削減。無駄になっていた切断部分を低減できる。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）や無線識別（ＲＦＩＤ）などの小型チップの生産効率が高まる。

同システムは半導体製造プロセスで、ウエハー上に形成したチップを切り出すダイシング工程向け。東京精密のレーザーパターニング装置と、パナソニックのプラズマダイシング装置を組み合わせて、最適化した。価格は仕様などで異なるが４億―６億円程度を想定。２０年度に両社で１００億円の販売を目指す。

レーザー照射で微細な線幅のパターンを形成し、形成部分のみにプラズマ照射してチップを切り出す。現在の主流である刃具による加工に比べて、切断幅が約８...