逆接続・逆電流防止用High-side Nch-MOSFETゲートドライバIC発売

理想ダイオードとして車載機器の小型化、低損失化に貢献



新電元工業は、逆接続保護・逆電流防止用途にHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2007SW」を発売しました。本製品はNchMOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードとして使用可能となり、車載機器の小型化、低損失化に貢献します。
また、Nch-MOSFET2個と組み合せることで双方向導通の半導体リレーとしても使用可能となり、従来のメカニカルリレーと比べて高速応答・小型化が実現できます。

近年、自動車の電子機器（ECU）は高機能化、機能統合、多機能化に伴い消費電力が増加しています。これまで、ECU入力部の逆接続保護・逆電流防止用素子にはダイオードが使われてきましたが、電流増加による電力の損失や発熱の増加が機器の放熱対策や小型化の妨げとなっています。そのため、ICとMOSFETを組み合わせることで整流性を持たせ、加えて電力の低損失化・発熱の抑制・小型化を実現できる「理想ダイオード」の需要が高まっています。

新電元工業は、このようなニーズに応えるべくHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2007SW」を発売しました。本製品はNch-MOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードとして使用可能となり、従来ダイオードと比べて電力の損失を約72％、温度上昇を約51％抑制することが出来ます。これにより車載製品など逆接続・逆電流保護を必要とする機器や、出力ORing用途の小型化、電力の低損失化に貢献します。
また、Nch-MOSFET2個と組み合わせることで双方向導通の半導体リレーとしても使用可能です。従来のメカニカルリレーと比べて応答時間を約1/1000に短縮、実装面積を約96％低減することが可能となり、高速応答・小型化に寄与します。

■特長
1. 電力損失の低減
理想ダイオードとして使用する場合※1、従来ダイオード※2と比較し、電力損失を約72％低減させることが可能。


2. 温度上昇の抑制
理想ダイオードとして使用する場合※1、従来ダイオード※2と比較し、温度上昇を約51％抑制させることが可能。


3. 実装面積の削減
半導体リレーとして使用する場合、メカニカルリレーと比較して実装面積を約96％削減させることが可能。


４. 高速応答
半導体リレーとして使用する場合、ON/OFF信号に対する動作時間が速く、メカニカルリレーと比べてON時は約1/20、OFF時は約1/1000の応答時間短縮を実現。


5. 確実なON/OFF
メカニカルリレーでは発生してしまうON/OFF時の微細な振動が、半導体リレーでは発生を予防。※3


6. 外付けNch-MOSFETのVDS電圧差を電流として出力（IDET端子よりシンク / ソース電流を供給）

7. 車載信頼性規格AEC-Q100準拠

※1 当社Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合
※2 当社SBD「D30FDC4S」を使用した場合
※3 条件によっては振動が発生する可能性があります

■用途例
・先進運転システム（ADAS）
・自動運転関連の車載ECU
・CNC
・シーケンサー
・サーバー等の電源の出力部ORing

■製品情報
https://semi.shindengen.co.jp/ja/mf/MF2007SW


新電元工業株式会社について
新電元工業は、 1949年の設立以来、 パワー半導体やスイッチング電源などパワーエレクトロニクスを主な事業領域として、 独創的な技術を活かした数多くの製品を開発し、 世界各国のお客様の期待と信頼にお応えしてきました。
新電元工業は、 半導体技術、 回路技術、 実装技術を併せ持つ世界でも稀なメーカーとしてコア技術を融合し、 発展・応用させていくことで、 持続可能な社会の実現の一翼を担う製品をご提供していきます。詳細については新電元工業のウェブサイト（https://www.shindengen.co.jp/）をご覧ください。

お問合せ先
新電元工業株式会社 営業統括部
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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000062.000063577.html